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1.
设γM(G)是连通图G=(V,E)的最大亏格,记EM^-(G)={e∈E(G)|G\e连通,且γM(G\e)=γM(G)}。若EM^-(G)≠0,则称G是γ(G)-可约的;否则称G是γM(G)-不可约的。本文证明了边的剖分不改变图的最大亏格可约性,点的扩张不改变上可嵌入图的最大亏格可约性;并给出了两类满足EM^-(G)=E(G)的非4-边连通图。  相似文献   
2.
定理①:设△ABC的三边长分别为a、b、c,外接圆半径为R,内切圆半径为r,半周长为S,面积为△.  相似文献   
3.
舒兴明 《大学数学》2002,18(3):44-47
本文利用局部比较法 ,在图中定义子图、无效路径、以及可去边 .利用推导的有关定理 ,拆去可去边 ,利用最短路径相同的等价性 ,达到化简图 ,从而求出最短路径  相似文献   
4.
若干图类的邻强边染色   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了若干图类的邻强边染色 .利用在图中添加辅助点和边的方法 ,构造性的证明了对于完全图 Kn和路 Lm 的笛卡尔积图 Kn× Lm,有χ′as(Kn× Lm) =△ (Kn× Lm) +1 ,其中△ (Kn× Lm)和χ′as(Kn× Lm)分别表示图 Kn× Lm的最大度和邻强边色数 .同理验证了 n阶完全图 Kn的广义图 K(n,m)满足邻强边染色猜想 .  相似文献   
5.
FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.  相似文献   
6.
This paper is a continuation of the authors'previous paper[1].In this paper the authorsprove,assuming additional conditions on the initial data,some results about the existence anduniqueness of the entropy weak solutions of the Cauchy problem for the singular hyperbolicsystem a_t+(au)_x_2au/x=0,u_t+1/2(a~2+u~2)_x=0,x>0,t≥0.  相似文献   
7.
Let κ be non-negative integer. The unoriented bordism classes, which can be represented as [RP(ξ^κ)] where ξ^κ is a k-plane bundle, form an ideal of the unoriented bordism ring MO.. A group of generators of this ideal expressed by a base of MO. and a necessary and sufficient condition for a bordism class to belong to this ideal are given.  相似文献   
8.
刘秀贵 《数学年刊A辑》2002,23(6):779-788
本文证明了具有光滑对合T的(4n+2m+3+κ)-维闭流形,如果对合的不动点集为F=P(2m+1,2n+1),其中2m+2n=2+22+...+2b(2b为2n二幂展开式的最大二幂),m=4a或m=4a+3(a为非负整数),0<κ≠2,则对合T协边于零.  相似文献   
9.
本文通过对弹塑性幂硬化双材料界面裂纹尖端应力场的高阶渐近分析,获得了裂纹面无磨擦接触的裂尖一阶和二阶应力场解答,位移场在界面处呈现交叉匹配是本文解答的一个重要特点,最后结果表明,当界面上下材料的硬化指数之差大于1时(即n1-n2>1时),二阶应力场角分布为一常数解;而当0<n1-n2≤1时,二阶应力场角分布函数则随θ变化而变化。  相似文献   
10.
纵横扩张的优化   总被引:4,自引:0,他引:4  
得到了最小折数纵横扩张的判别准则.针对4-正则图的平面嵌入的纵横扩张的特殊性,给出了它的最小折数纵横扩张判别准则.  相似文献   
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