Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。     

Jensen’s Inequality for Backward Stochastic Differential Equations

Abstract Under the Lipschitz assumption and square integrable assumption on g, the author proves that Jensen’s inequality holds for backward stochastic differential equations with generator g if and only if g is independent of y, g(t, 0) ≡ 0 and g is super homogeneous with respect to z. This result generalizes the known results on Jensen’s inequality for g- expectation in [4, 7–9]. *Project supported by the National Natural Science Foundation of China (No.10325101) and the Science Foundation of China University of Mining and Technology.     

Nd∶NaR(WO_4)_2晶体生长(R=Bi,Y)

采用提拉法生长出了掺钕钨酸铋钠[Nd∶NaBi(WO4)2,简称Nd∶NBW]和掺钕钨酸钇钠[Nd∶NaY(WO4)2,简称Nd∶NYW]晶体,并给出了制备无开裂优质Nd∶NBW和Nd∶NYW晶体的最佳生长工艺参数。从XRD分析得到Nd∶NBW和Nd∶NYW晶体的晶胞参数,并分析了晶体的拉曼光谱,认为二者结构基本相同,为四方晶系、白钨矿结构、I41/a空间群。由吸收光谱可以看出,Nd∶NBW在802nm有较强的吸收峰,Nd∶NYW在804nm、752nm、586nm附近有较强、较宽的吸收峰,二者均适合于LD泵浦;计算了晶体中Nd3+的吸收截面积。     

北京欧普特科技有限公司

北京欧普特科技有限公司成立于1994年．自成立至今，公司致力于光学精密仪器、光学零件的设计、开发与加工生产．基于长期为国际市场加工生产传统高精度光学零件的基础，我公司严格参照国际通常规格及技术指标，备有完整系列的精密光学零部件（备有产品样本供参考）供国内各大专院校、科研机构、试验室随时选用，我公司同时可为您的应用提供技术咨询．我公司有超过10年的红外材料销售、加工经验，可以提供美国及欧洲产的优质红外光学材料，如硒化锌CVD ZnSe，硫化锌CVD ZnS，多光谱硫化锌CVD CLEARTRAN ZnS，砷化钾，氟化钙，氟化镁，氟化钡，氟化锂，锗和硅等．     

Pd-Rh型国Ⅲ排放三效催化剂的研制

对满足欧Ⅲ排放限值的Pd-Rh型三效催化剂进行研究开发,测试了新鲜催化剂的空燃比特性和起燃温度特性,并与市场上的欧Ⅲ催化剂在同等条件下老化后的性能进行了比较.对研制的催化剂进行封装总成后,按照GB18352.3-2005标准进行了常温冷起动Ⅰ型和低温冷起动IV型试验,测试结果完全能满足该标准的限值要求.     

Er:Yb:KGW激光晶体生长及缺陷研究

采用顶部籽晶(TSSG)法生长ErYbKGW晶体.通过研究助熔剂的种类、组成与溶质的比例关系对晶体生长的影响,设计了合理的工艺条件转速30～40 r·min-1;拉速1～2 mm·d-1;降温生长速率0.05 ℃·h-1;降温速率15 ℃·h-1;生长周期15～20 d.通过对晶体缺陷的观察分析认为,晶体裂缝及包裹物等缺陷与生长工艺条件密切相关,应尽量减少生长过程中的温度、浓度及生长速度的波动,保持晶体的稳态生长.     

土耳其机会得失

对于“脱亚入欧”的夙愿仍在路上的土耳其而言，司法体系时至今日，距离欧盟的要求并不遥远。商业环境也在亦步亦趋地追赶成熟与标杆国家。     

提拉法生长直径10英寸优质Yb∶YAG激光晶体

设计制作了直径10英寸Yb∶YAG激光晶体生长热场,改进了单晶炉称重与旋转系统结构,采用感应加热熔体提拉法结合上称重自动控径技术,成功生长出了直径252 mm、等径长近260 mm的完整Yb∶YAG晶体,晶坯外观完整,无开裂。在5 mW绿光激光和20 mW He-Ne激光照射下检测,晶坯整体无散射。经检测性抛光后,晶坯选材扇区内光学均匀性较好,应力分布均匀。选择口径为152 mm×11.5 mm、长为260 mm的板条区域进行测试,透过波前畸变为0.29λ/inch@633 nm,表明晶坯具有良好的光学质量,可以选切加工宽度达到150 mm的大尺寸晶体板条元件。     

Ce∶LuAG闪烁晶体的生长研究

Ce∶LuAG晶体是一种性能优良的闪烁材料,但采用提拉法生长Ce∶LuAG时,经常出现开裂和包裹物缺陷。本文通过理论与实践相结合的方式分析了温度梯度、提拉速度、晶体旋转速度和热应变等因素对晶体产生缺陷的影响,并提出了解决办法,给出了适合生长优质Ce∶LuAG晶体的工艺参数:熔体上方温度梯度在5 ℃/mm左右,放肩角度在30°~60°,提拉速度1.0~1.5 mm/h,晶体旋转速度15~25 r/min。最后成功生长出直径30 mm、等径长50 mm质量较为完好的Ce∶LuAG单晶,晶体内核心面积小。     

大锥角光纤探针的制备

用熔拉法、腐蚀法、管腐蚀法、熔拉-腐蚀法、激光消融法等制备了光纤探针,对其外形进行了分析比较.熔拉法制作的探针,锥形过渡区细长,并且获得的探针锥角不大(8°～35°).腐蚀法与管腐蚀法可以使探针的锥形过渡区短,损耗小,锥角大(15°～65°),但在制备更大的锥角光纤探针时,表面开始变得粗糙.拉伸-腐蚀的方法制作光纤探针存在一个变锥度区.激光消融腐蚀法容易获得大锥角的探针,并且表面光滑.