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《数学的实践与认识》2015,(9)
采用内隐研究方法,以新疆高校师生为调查样本,探究普通人对"创新环境"的认知,研究结果表明:1)人们对"创新环境"的认知以某种特征结构形式存在于头脑中,并呈现出丰富的内涵;2)经过因子分析,发现人们心目中理想的创新环境由创新网络、社会保障、组织支持、物质基础、人文氛围、创新资源六个维度35个指标构成;3)不同类型学校、教师与学生对创新环境特征的认知上存在显著性差异. 相似文献
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Y(F4‘)条件与加强形式的停止定理 总被引:2,自引:0,他引:2
首次提出了Y(F4')条件,给出了Y(F4')条件的两个等价关系,得到了加强形式的停止定理和强鞅的一个等价关系。 相似文献
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Second-order random wave solutions for interfacial internal waves in N-layer density-stratified fluid
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This paper studies the random internal wave equations describing the density interface displacements and the velocity potentials of N-layer stratified fluid contained between two rigid walls at the top and bottom. The density interface displacements and the velocity potentials were solved to the second-order by an expansion approach used by Longuet-Higgins (1963) and Dean (1979) in the study of random surface waves and by Song (2004) in the study of second- order random wave solutions for internal waves in a two-layer fluid. The obtained results indicate that the first-order solutions are a linear superposition of many wave components with different amplitudes, wave numbers and frequencies, and that the amplitudes of first-order wave components with the same wave numbers and frequencies between the adjacent density interfaces are modulated by each other. They also show that the second-order solutions consist of two parts: the first one is the first-order solutions, and the second one is the solutions of the second-order asymptotic equations, which describe the second-order nonlinear modification and the second-order wave-wave interactions not only among the wave components on same density interfaces but also among the wave components between the adjacent density interfaces. Both the first-order and second-order solutions depend on the density and depth of each layer. It is also deduced that the results of the present work include those derived by Song (2004) for second-order random wave solutions for internal waves in a two-layer fluid as a particular case. 相似文献
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设珮犠(狋):犚犖+ →犚犱是犖指标犱维广义Wiener过程,对任意紧集犈1,…,犈犿犚犖> ,该文研究了犿项代数和珮犠(犈1)…珮犠(犈犿)的Hausdorff维数,Packing维数和正的Lebesgue测度及内点的存在性. 其结果包含并推广了布朗单的结果. 相似文献
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This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献