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1.
2.
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。 相似文献
3.
一根导热棒 ,如果在它的两端存在温差 ,便会有热量从高温端流向低温端 .这种能量在固体中的传输 ,不是沿着棒按照直线路径完成的 ;其间 ,导热声子将遭遇到频繁的碰撞 ,从而产生热阻 .表征材料导热性能的物理量是热导率κ[单位是W /(m·K) ],而传输的热流密度 jQ(W /m2 )与温度梯度成正比 ,即 jQ=-κdT/dX .如果声子在传输过程中不经历散射 ,则不论导热棒多长 ,jQ 将不依赖于温度梯度 ,而仅仅取决于两端的温差 .引入声子平均自由程l ,经典理论给出 ,κ =(1/3)Cvl,其中C是单位体积材料的热容 ,v是声子的平均速度 .在低温下 ,对于无杂质缺… 相似文献
4.
使用结构简单的单温炉设备,通过三步升温热解二茂铁、三聚氰氨混合物方法,在二氧化硅、多晶陶瓷基底上分别合成了碳纳米管阵列、碳纳米管捆束.使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、电子能量损失谱和x射线光电子能谱对合成样品进行了结构和成分分析.结果显示:两种基底上合成的纳米管均为多壁纯碳管;生长于光滑二氧化硅表面的碳纳米管具有高度取向性和一致的外径,长度为10—40μm.碳纳米管采取催化剂顶端生长模式并展示出类杯状形貌;生长于粗糙多晶陶瓷表面的碳纳米管捆束随机取向,碳纳米管直径为15—80nm,长度在几百微米,展示
关键词:
碳纳米管
热解法
三步升温工艺 相似文献
5.
利用场发射显微镜和四极质谱计研究了充入高纯O2的四极质谱和O2对单壁碳纳米管场发射的影响.单壁碳纳米管经过约1000℃的热处理得到清洁态场发射像后,充入O2,分别测量了O2吸附和脱附后场发射的I V特性.实验观测到在单壁碳纳米管上O2的吸附使场发射电流减小,说明逸出功增加.在10-4Pa的O2压强下对单壁碳纳米管进行约1000℃的热处理,可以产生氧化刻蚀作用,观测到场发射像的变化,并测量了氧化刻蚀产生的I V特性变化.
关键词:
单壁碳纳米管
场发射显微镜
场发射
四极质谱 相似文献
6.
研究了多壁碳纳米管(MWNTs)薄膜的湿敏特性,实验所用的多壁碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成的.分别对未修饰和修饰的多壁碳纳米管膜温度和湿度特性进行研究后发现,修饰的多壁碳纳米管对温度和湿度非常敏感,且对湿度的响应时间和恢复时间短,重复性好.而未修饰的多壁碳纳米管对温度和湿度不太敏感.对修饰多壁碳纳米管的湿敏特性进行了理论分析,给出了其理论表示式.
关键词:
多壁碳纳米管
化学修饰
湿敏特性
物理吸附 相似文献
7.
纳米科技于20世纪70年代兴起,进入21世纪越来越被大家耳熟。纳米科技在促进科技进步,提高社会文明程度,改善人类生存质量,更新对物质世界的认知及观念上扮演了举足轻重的角色。纳米是长度单位。一纳米为一米的十亿分之一,如果你的拇指指甲盖宽14毫米,这个比例就相当于拇指指甲盖宽度与地球直径间的比例。纳米科技所接触、研究、开发的是100纳米~0.1纳米范围内物质的性质和应用。一个分子或一个原子大小的数量级大致在10纳米。因此,纳米科技也可以说是在分子水平上观察、分析、研究物质的物理、化学性质并加以开发利用。 相似文献
8.
单壁碳纳米管的SERS研究 总被引:2,自引:2,他引:0
本文通过改进实验方法,将单壁碳纳米管的乙醇溶液与金胶混合并制作成固体薄膜,使单壁碳纳米管夹裹在金纳米粒子之间,保证了吸附的紧密性,获得了高质量的单壁碳纳米管SERS光谱。不但观测到文献中报道的径向呼吸振动模(RBM)和C-C正切拉伸模(GM)的增强,还在1100-1500cm-1区域观测到一组新峰,其峰形完整并有相当的强度。这些峰在现有的文献中几乎没有报导。文章对这组新峰的出现进行了初步的分析。 相似文献
9.
10.
掺杂对碳纳米管拉曼光谱及场发射性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用高温热解法在860℃分别制备出了镓、氮以及硼和氮掺杂的碳纳米管,提纯后利用丝网印刷工艺分别将它们制备成薄膜,并测试了它们的拉曼光谱与场发射性能。测试结果表明,掺杂纳米管的缺陷密集度比纯碳纳米管明显增大,而它们的场致电子发射性能则与掺杂元素的性质密切相关。镓和氮掺杂的纳米管均具有非常优异的场发射性能,而硼和氮共掺杂的纳米管的场发射性能很差。掺杂引起碳纳米管费米能级附近能态密度的变化及功函数的降低是其具有优异场致电子发射性能的主要原因。 相似文献