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1.
Tetsuo Irifune Chiaki Ueda Shohei Ohshita Hiroaki Ohfuji Takehiro Kunimoto Toru Shinmei 《高压研究》2020,40(1):96-106
ABSTRACTNano-polycrystalline diamond (NPD) with various grain sizes has been synthesized from glassy carbon at pressures 15–25?GPa and temperatures 1700–2300°C using multianvil apparatus. The minimum temperature for the synthesis of pure NPD, below which a small amount of compressed graphite was formed, significantly increased with pressure from ~1700°C at 15?GPa to ~1900°C at 25?GPa. The NPD having grain sizes less than ~50?nm was synthesized at temperatures below ~2000°C at 15?GPa and ~2300°C at 25?GPa, above which significant grain growth was observed. The grain size of NPD decreases with increasing pressure and decreasing temperature, and the pure NPD with grain sizes less than 10?nm is obtained in a limited temperature range around 1800–2000°C, depending on pressure. The pure NPD from glassy carbon is highly transparent and exhibits a granular nano-texture, whose grain size is tunable by selecting adequate pressure and temperature conditions. 相似文献
2.
非晶金刚石膜的性能及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
非品金刚石薄膜具有超高硬度等一系列优异的特殊性能,为工程界孜孜追求的材料表面镀膜。用百纳科技公司研发制造的过滤阴极真空电弧离子镀膜机镀制的非晶金刚石薄膜,SP^3金刚石结构量≥80%,硬度高,膜/基结合力高,摩擦系数小,耐磨损,耐腐蚀,透光率高,在电子,机械,光学,生物医学上有广泛应用前景。我们已在视窗玻璃,丝锥,模具,硬质合金刀头等产品上成功应用。 相似文献
3.
V. S. Gorelik P. P. Sverbil' A. B. Fadyushin V. V. Vasil'ev 《Journal of Russian Laser Research》2004,25(1):54-63
A possibility of application of semiconductor lasers of the visible range as exciting sources for Raman spectroscopy is studied. An experimental set-up for measuring Raman spectra of polycrystalline dielectrics and broad-gap semiconductors excited by a semiconductor laser with a wavelength of 640 nm was created. The conditions under which the spectral width of the lasing line of a semiconductor laser was within 10-3 cm-1 in the continuous mode with a power of 10 mW are realized. The characteristics of various types of exciting sources used in Raman spectroscopy are compared. The results of studies of the characteristic Raman spectra excited with a semiconductor laser in polycrystalline sulfur are presented. 相似文献
4.
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原
关键词:
VO2多晶薄膜
离子束增强沉积
热电阻温度系数 相似文献
5.
《Electroanalysis》2004,16(11):897-903
The reaction of iodine, electrogenerated from iodide, is used for the detection of As(III) via electrocatalytic reaction in the diffusion layer of a boron‐doped diamond electrode. The merits of this electrode material for this purpose (over platinum, gold or glassy carbon) are demonstrated and the kinetics of the reaction between I2 and As(III) in acid reported. 相似文献
7.
用分子动力学方法模拟了空位在金刚石近(001)表面的扩散过程,研究了温度对空位扩散的影响.结果表明,当温度为1000K左右时,位于近表面第二层上的空位开始向表面运动;当温度在1400—2000K时,空位完全扩散到表面.这与实验结果和其他计算结果符合得很好.同时发现,温度为1400—1800K时,空位的扩散经历了两次迁移运动,其分别对应了均方位移图中的两个极大值.在不施加任何约束的条件下得到了空位的动态扩散路径,空位在金刚石近(001)表面的扩散势垒约为042eV.并探讨了一定温度下空位数目增多及其不同排列
关键词:
金刚石
空位
扩散
分子动力学 相似文献
8.
现代热力学的完整分类系统--非平衡非耗散热力学新领域 总被引:1,自引:0,他引:1
在同一体系中同时有多个不可逆过程时,不可逆过程之间会有相互影响,原来的非自发过程有可能在其他自发过程的影响下得以进行,这种现象就称为热力学耦合或反应耦合,长期以来,经典热力学把热力学第二定律的等式作为平衡体系的充分必要条件,其中隐含了一个前提性的假定,即经典热力学的对象只限于非耦合的体系,摈弃这一隐含的前提性假定以后,热力学自身就发展成为一个现代热力学的完整学术体系,适用于任何宏观体系(包括极其复杂的生命体系),现代热力学的完整学术体系中包含了一个崭新的非平衡非耗散热力学新领域,由于该领域属于热力学第二定律的等式部分,因此可以定量计算,并得到一系列理论计算的非平衡相图,与文献上报道的激尖低压金刚石合成等的大量实验数据相符。 相似文献
9.
10.
Polypropylenes of differing morphologies were examined by differential thermal analysis. The problems of reordering during
the programmed heating are discussed. Four potential procedures by which the reordering could be inhibited are considered,
and three of these are experimentally assessed. Their advantages and deficiencies are identified. Two pretreatments, an etching
and a crosslinking, are recognised as able to qualitatively characterise the initial morphology, with a preference for the
former. A test to identify the occurrence of reordering is identified.
In celebration of the 60th birthday of Dr. Andrew K. Galwey 相似文献