一种基于附加重力场的铸件拓扑优化方法

针对铸件结构拓扑优化问题,提出了一种新的铸造脱模约束形式.首先,在变密度拓扑优化的框架下,提出了相对密度描述的优化解的逆结构概念;之后,对该逆结构施加附加重力载荷并固定脱模方向的边界;最后,利用该问题的位移解构造铸造约束.通过对逆结构的最大柔顺性施加单一约束,即可避免优化结构出现不可铸造的特征(包括内部孔洞和侧凹),从...     

面向纳米电路的改进型卷积核可制造性模型建模研究

囿于材料和工艺稳定性等原因, 纳米级集成电路制造依然基于193 nm激发光的工艺, 光刻波长远大于版图尺寸, 使得制造中光的干涉和衍射现象极大降低了分辨率, 影响了芯片质量, 因此版图在制造前需要使用可制造性模型进行查错. 传统模型对制造过程进行物理建模, 通过对模型中的矩阵进行分解得到卷积核, 所使用的物理模型不仅复杂, 而且应用难度高, 加之还有物理模型缺失的情况, 因此难以描述具有上千参数的生产线. 本文使用卷积的形式作为可制造性模型的框架, 通过优化算法提取版图到硅片轮廓这一过程的信息并以卷积核的形式体现出来, 卷积核中的每一个元素均为根据已知的生产线输入输出数据优化得出, 是描述制造过程的一个维度. 该模型克服了传统模型需要工艺参数等机密信息的缺陷, 同时具有更强的描述制造过程的能力; 模型甚至可以包含版图校正信息, 描述从版图到硅片轮廓这一全流程. 该模型在65 nm工艺下的实验结果表明该模型具有8 nm的精度.     

基于支持向量机及遗传算法的光刻热点检测

提出一种基于支持向量机（SVM）及遗传算法（GA）的集成电路版图光刻热点检测方法.首先对版图样本进行离散余弦变换（DCT）以提取样本的频域特征,然后基于这些样本训练SVM分类器以实现对光刻热点的检测.为了提高光刻热点检测的精度及效率,采用遗传算法（GA）对频域特征进行选择,并同时优化SVM参数.实验结果表明,基于SVM及版图频域特征并结合遗传算法进行优化的光刻热点检测方法可以有效提高版图光刻热点的检测精度.