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1.
In this work the results of the statistical topometric analysis of fracture surfaces of soda-lime-silica glass with and without ionic exchange treatment are reported. In this case, the mechanism of substitution is K+-Na+. atomic force microscopy (AFM) was employed to record the topometric data from the fracture surface. The roughness exponent (ζ) and the correlation length (ξ) were calculated by the variable bandwidth method. The analysis for both glasses (subjected and non-subjected to ionic exchange) for ζ shows a value ∼0.8, this value agrees well with that reported in the literature for rapid crack propagation in a variety of materials. The correlation length shows different values for each condition. These results, along with those of microhardness indentations suggest that the self-affine correlation length is influenced by the complex interactions of the stress field of microcracks with that resulting from the collective behavior of the point defects introduced by the strengthening mechanism of ionic exchange. 相似文献
2.
Sensitivity analysis is a mathematical tool, first developed for optimization methods, which aim is to characterize a system response through the variations of its output parameters following modifications imposed on the input parameters of the system. Such an analysis may quickly become laborious when the thermal model under consideration is complex or the number of input parameters is high. In this paper, we develop a mathematical model to analyse the heat exchanges in four different types of solar air collectors. When building this thermal model we show that for each collector, at quasi-steady state, the energy balance equations of the components of the collector cascade into a single first-order non-linear differential equation that is able to predict the thermal behaviour of the collector. Our heat transfer model clearly demonstrates the existence of an important dimensionless parameter, referred to as the thermal performance factor of the collector, that compares the useful thermal energy which can be extracted from the heater to the overall thermal losses of that collector for a given set of input parameters. A sensitivity analysis of our thermal model has been performed for the most significant input parameters such as the incident solar irradiation, the inlet fluid temperature, the air mass flow rate, the depth of the fluid channel, the number and nature of the transparent covers in order to measure the impact of each of these parameters on our model. An important result which can be drawn from this study is that the heat transfer model developed is robust enough to be used for thermal design studies of most known flat plate solar air heaters, but also of flat plate solar water collectors and linear solar concentrators. 相似文献
3.
4.
5.
复合体系方法测量液体力学谱 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了采用复合体系,测量得到凝聚态物质从固态到液态连续变化力学谱的一种新的实验方法。以簧振动为例,给出了解析的计算公式,以及应用条件。通过进一步综合分析,得到具有更广应用范围的近似公式,可以近似应用于其他不同的振动模式,如低频扭摆。应用新的测量方法,给出了典型小分子玻璃材料甘油和碳酸丙稀从玻璃态到液态的力学谱,观察到甘油和碳酸丙稀玻璃化转变、碳酸丙稀的再结晶、熔化和挥发的过程;测量得到挥发过程中水的质量随时间精确变化的曲线。最后,本文给出了新方法的一些应用展望。 相似文献
6.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究 总被引:3,自引:2,他引:1
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式·研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关·使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较·在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关·按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1,2,3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886·当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816· 相似文献
7.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究 总被引:1,自引:1,他引:0
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式.研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关.使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较.在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关.按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1, 2, 3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886.当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816. 相似文献
8.
9.
相对论重离子碰撞实验中混合事件方法的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
把RQMD(Relativistic Quantum Molecular Dynamics)产生器产生的数据输入作为原始事例取样,讨论了在比较复杂的背景情况下,一种新的混合事件方法,用以证实在相对论重离子碰撞实验中高能量激发共振态的存在.并以共振态重子Δ++为例演示了这一方法的应用. 相似文献
10.
This paper proposes a new two-stage two-phase VPP charge pump configured in such a manner that the body effect and the threshold voltage loss are eliminated. The newly proposed circuit is fabricated using 0.18 μm triple-well CMOS process and the measurement result shows that the VPP level tracks 3VDD when VDD is above the threshold voltage. 相似文献