压电陶瓷及其应用

论述了压电陶瓷历电性的物理机理，并介绍压电陶瓷的应用．     

SrHfO3和SrTiO3光学特性的第一性原理研究

用全电势线性缀加平面波法(FLAPW)计算了SrTiO3和SrHfO3的光学特性,即介电函数虚部ε2(ω)、光学吸收系数I(ω)和反射率R(ω).对它们光学特性进行了对比分析,给出了它们光学特性的差别,并进行了解释.计算的SrTiO3光学谱分别在4.4,7.4,8.3和23.6eV处出现峰值,且其在4.4eV处的峰值比较高而尖.计算结果与实验值符合得很好.     

铁电体表面效应的唯象理论及其与横场Ising模型的关系

分析了铁电体横场Ising模型与Landau唯象理论的关系,得出了有表面的铁电体的Landau自由能表达式,指出原有的表达式中面积分部分仅含与极化平方成正比的项只在特殊情况下成立,一般情况下还应包含与极化四次方成正比的项.利用所得出的自由能表达式,计算了铁电薄膜自发极化和Curie温度与厚度的关系,使原先用唯象理论不能理解的一些实验现象得到了解释     

Evolution from Diffuse Ferroelectric to Relaxor Ferroelectric in Pb1-xBax（Fe1/2Nb1/2）O3 Solid Solutions

Dielectric and ferroelectric characteristics for Pb1-xBax（Fe1/2Nh/2）O3 （x = 0,0.05,0.1,0.15, and 0.2） ceramics are determined together with their structures. X-ray diffraction （XRD） analysis confirms the solid solutions with the cubic structure. The dielectric nature changes from diffuse ferroelectric to relaxor ferroelectric with increasing x, while the phase transition temperature Tc （or Tm） decreases monotonously. The diffuse ferroelectric phase transition is observed in the solid solutions with 0≤x ≤0.05. For Pbl-xBax（Fe1/2Nb1/2）O3 with 0.1≤ x≤0.2, relaxor ferroelectric behavior is determined, and the Vogel-Fulcher equation is used to describe the relaxor behavior. The 1/ε versus T plots reveal the diffusion dielectric characteristics in both diffuse and relaxor ferroelectrics.     

新型BT-BMT-xBNT无铅高储能密度陶瓷研究

本文采用传统固相反应法,成功制备了新型无铅弛豫铁电陶瓷(1-x)[0.9BaTiO₃-0.1Bi(Mg_0.25Ta_0.5)O₃]-xBi_0.5Na_0.5TiO₃。结果表明,较高居里温度的Bi_0.5Na_0.5TiO₃的引入,使得材料体系中建立了更多的以Bi—O耦合为主的极性纳米区域,弥补了因Bi(Mg_0.25Ta_0.5)O₃的加入导致的宏观极化强度的减少,提高了材料的饱和极化强度,实现了较高储能密度的同时具有更好的温度稳定性。在245 kV/cm电场强度下,x=0.2样品的储能密度约为4.01 J/cm³,储能效率约为84.86%,同时该组分在20~170 ℃储能密度的变化率小于5%,储能效率的变化率小于6%,表现出优异的温度稳定性。     

并联铁电体冲击去极化输出电流实验和计算

 为分析不同数量铁电体的输出电流特征,进行了多片并联PZT95/5铁电体冲击去极化实验,测量了电阻负载下铁电体的输出电流;建立了并联铁电体输出电流的计算模型,计算了并联铁电体的输出电流。通过比较计算和实验结果,分析了铁电体数量和冲击波状态对铁电体输出电流的影响。结果表明：若进入铁电体的冲击波为平面波,铁电体输出电流的波形接近方波,电流峰值随铁电体并联数量的增加成比例增加,冲击波波形和侧向稀疏波对铁电体输出电流波形和去极化率有很大的影响。     

BaTiO3铁电体中辐射位移效应的分子动力学模拟

运用基于壳模型的分子动力学方法研究了BaTiO₃铁电体中的辐射位移效应.采用O原子作为初级击出原子,模拟了当初级击出原子能量为1 keV时体系内缺陷的产生和演化.模拟结果表明,当入射方向为[001]时,体系内产生的缺陷最多.在所有缺陷中,以O缺陷的含量为最高,达80%以上.同时,这些缺陷的产生并不显著改变体系的自发极化强度,对体系的极化翻转过程也基本没有影响.在外电场作用下,观察到了显著的缺陷迁移. 关键词： 分子动力学 3铁电体')" href="#">BaTiO₃铁电体 辐射位移效应     

冲击波作用下铁电体的击穿

 将导电裂纹视为铁电体的击穿模型。导出了当有一裂纹和一电极成垂直接触时的储能公式，由此推得当裂纹开裂一单位面积时的驱动能量，当此能量大于铁电体的表面能时，就是临界击穿的条件，从而可以求出临界电压或临界冲击波强度。并将结果和其它文献作了比较。     

薄膜物理及其应用讲座：第六讲 铁电薄膜的物理性能和应用

铁电薄膜材料与器件是近年来高新技术研究的前沿和热点之一，文章概括介绍了铁电薄膜研究的现状，铁电薄膜的物理性能及其表征，铁电薄膜在微电子，光电子和集成光学等领域中的应用，并指出了当前铁电薄膜材料与器件研究中需要着重解决的一些问题。