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1.
反应离子镀光学薄膜的微观结构分析 总被引:2,自引:1,他引:1
用反应离子镀方法制备了TiO2单层膜及TiO2/SiO2多层膜,用透射电子显微镜分别观察了由反应离子镀方法及传统蒸镀法二种不同工艺制得的TiO2单层膜及TiO2/SiO2多层膜的断面结构,并对TiO2单层膜进行了喇曼分析和卢瑟福背散射分析。 相似文献
2.
采用电弧离子镀技术利用Ti50Al50、Ti50Al49Ag1、Ti50Al45Ag5合金靶沉积制备出了TiAlN及不同Ag含量的TiAlAgN涂层. 利用球-盘式摩擦磨损试验机研究了室温、200、400和600 ℃等温度下的摩擦学性能;通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、显微硬度计、表面轮廓仪和划痕仪对磨损前后涂层的表面形貌、微观结构、硬度及涂层结合力进行了分析. 结果表明:TiAlN、TiAlAgN(Ag原子百分数0.12%)、TiAlAgN(Ag原子百分数0.30%)涂层的厚度分别为为4.18、5.31和4.69 μm,硬度分别为HV0.2 2 049.4、HV0.2 1 672.9、HV0.2 1 398.5;TiAlN、TiAlAgN涂层的衍射峰位与面心立方的TiN相同,掺入Ag后TiAlN涂层的择优取向变为N(220)面. 三种涂层在不同温度下的磨损机理主要为黏着磨损与磨粒磨损. 室温时TiAlN涂层的摩擦系数比其他两种涂层要小约0.3,200 ℃时三种涂层的磨损率较大,400 ℃时掺Ag涂层的耐磨效果达到最佳. 此外,当Ag原子百分数在0.12%~0.30%范围时,随着Ag含量增加,涂层的结合力降低. 相似文献
3.
采用电弧离子镀技术在GH-4169高温合金基体上沉积氧化铬薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理,系统研究了不同退火温度(500、600、700和800 ℃)对薄膜形貌、薄膜结构、薄膜力学性能及薄膜摩擦学性能的影响. 结果表明:随退火温度升高,薄膜表面缺陷减少,氧化铬晶化趋于完善,薄膜硬度下降. 高温摩擦学性能方面薄膜经500和600 ℃退火后,在环境温度从室温到800 ℃宽温域范围内摩擦系数较退火前均有所增加;经800 ℃退火后的薄膜在环境温度为400~600 ℃时的摩擦系数均明显下降,但室温摩擦系数明显升高,宽温域内摩擦系数波动较大;700 ℃退火后薄膜宽温域内摩擦系数在0.21~0.33之间,波动较小. 相似文献
4.
5.
用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃基片上制备均匀透明的TiO2薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜、紫外-可见透射光谱仪和纳米压痕仪等手段,对不同脉冲负偏压下合成薄膜的相结构、微观结构、表面形貌、力学和光学性能进行表征.结果表明,沉积态薄膜为非晶态.脉冲负偏压对薄膜性能有明显的影响.随偏压的增加,薄膜厚度、硬度和弹性模量均先增大后减小,前者峰值出现在100—200 V负偏压范围,后两者则在250—350V范围.300 V负偏压时薄膜硬度最高,薄膜达到原子级表面光滑度,均方
关键词:
2薄膜')" href="#">TiO2薄膜
脉冲偏压电弧离子镀
硬度
折射率 相似文献
6.
多弧离子镀技术中的真空放电过程 总被引:3,自引:0,他引:3
多弧离子镀技术是基于阴极弧光放电原理的一种新型真空沉积技术,文章对该技术的特点,发展现状及其应用情况作了简单介绍,着重分析了该技术中真空弧光放电的过程并提出了放电的热-场致电子发射模型,在此基础上给出了稳定放电过程的方法。 相似文献
7.
用脉冲偏压电弧离子镀通过控制不同的氮流量在(100)单晶Si基片上制备了不同成分的CNx薄膜.用光学显微镜,XPS,XRD,激光Raman和Nanoindenter等方法研究了薄膜的形貌、成分、结构和性能.结果表明,薄膜表面平整致密、氮含量随着氮流量的降低而降低、结构为非晶且为类金刚石薄膜;随着氮含量从18.9%降低到5.3%(摩尔百分比,全文同),薄膜的硬度和弹性模量单调增加而且增幅较大,其中硬度从15.0 GPa成倍增加到30.0 GPa;通过氮流量的调整能够敏感地改变薄膜中的sp3键的含量,是CNx薄膜的硬度和弹性模量获得大幅度凋整的本质原因. 相似文献
8.
ITO材料在减反射膜设计中的应用 总被引:7,自引:7,他引:0
改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况,将其作为减反射膜系中的一层,能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透过率.通过使用将ITO材料置于膜系的内层和最外层两类不同的设计思想,可以使ITO透明导电膜达到相当优良的应用效果.使用低压反应离子镀方法制备了设计的两类减反射膜系,实验证明,膜层在可见光部分的透过率显著提高,剩余反射率明显下降,并得到了平均透过率为95.83%,最高透过率达到97.26%,方块电阻为13.2~24.6Ω/□的试验结果. 相似文献
9.
10.
TiAl过渡层对电弧离子镀沉积TiAlN膜层的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
利用电弧离子镀,在不锈钢和SiCP增强2024铝基复合材料基底上沉积TiAlN薄膜.结果表明:TiAlN膜层直接沉积在不锈钢基底上,膜层呈[111]择优取向;然而,TiAlN膜层沉积在不锈钢基底的TiAl过渡层上,膜层呈[220]方向择优取向;并且随着过渡层从零开始增厚,TiAlN膜层的织构系数T(111)逐渐减小,而T(200)逐渐增大,但膜层一直以[220]方向择优取向,内应力的存在可能是膜层产生[220]方向择优取向的原因.在复合材料基底TiAl过渡层上沉积,随着负脉冲偏压的增加,TiAlN膜层的择优取向由[111]向[200]转变.在不锈钢基底上,没有TiAl过渡层时,膜层表面相对光滑,大颗粒较少;有了TiAl过渡层,表面大颗粒较多;TiAl过渡层不同沉积时间对膜层表面影响不大,颗粒尺寸相差无几.没有TiAl过渡层时,膜层结合强度很差,有了TiAl过渡层,结合强度明显增加,但结合强度的大小随过渡层沉积时间(厚度)变化. 相似文献