光纤的能量传输特性及应用

着重分析了影响光纤传输能量以及光纤传输中造成能量损耗的因素。这些因素主要包括光纤材料、构造、光纤的折射率分布、光纤的长度和芯径、光纤的数值孔径和热效应以及耦合等。同时 ,结合激光二极管点火的实例 ,分析探讨了其背景和应用价值。结论是 :为了尽可能减少能量损耗、提高光纤输出的激光功率和激光功率密度 ,应当选取合适的激光工作波长、较小的光纤长度、较小的芯径和较小的数值孔径 ,应采用渐变折射率分布光纤 ,应减少弯曲与耦合     

单晶光纤损耗谱测量装置

本文描述了一套用以测量单晶光纤损耗谱的装置。本装置由卤钨灯,单色仪,积分球,AgORbCs光电倍增管以及数据采集,处理和控制系统组成。可测量300～1150nm的光谱范围。利用本装置可获得单晶光纤的吸收光谱,透过率谱,散射光谱以及散射位置谱。     

玻璃波导光功分器的研制

本文报道了Na^ —Tl^ 离子交换的K9玻璃衬底光功分器（工作波长为1.55μm），分析设计和器件的制作，并对制作的器件进行了模式损耗测试。结果表明，器件达到了预定的要求。     

用实验室常用电表测量电感线圈和直流电阻箱的交流损耗电阻

1引言在RIAf串联iff振实验中，由于电感线圈和直流电阻箱（因高频电阻箱价格高、取材困难，众多教科书上往往以直流电阻箱取代）所引起的交流损耗电阻的影响，使Q的计算值总是大于它的测量值，如何克服交流损耗电阻所带来的不可忽略的影响，已有许多文献介绍了他们的尝试．以厂是我们对这些问题的看法和探讨；其一，“替代法””‘是在电路谐振时，用一个直流电阻箱替代原谐振电路，选择某一阻值，使电阻箱端电压恢复到原电路谐振状态时的数值，则电阻箱示值即为电路总损耗电阻．实验中我们发现，受电表灵敏度的限制，在替代过程中有数欧…     

线圈型全光纤偏振器的研究

本文采用等效电流法对线圈型全光纤偏振器进行了分析计算.对应于保偏光纤中两正交传输基模的消光比,提出了一种分析保偏光纤弯曲损耗的新方法,这种方法基于将保偏光纤两个不同偏振模式分别等效为两个普通圆光纤的基模,等效参数通过测量不同偏振模式的模场半径来确定.实验证明这种理论计算方法与实验结果一致.最终,我们研制出的线圈型光纤偏振器在1.31μm工作波长下,实测消光比达30dB以上,工作偏振模式插入损耗≤3dB.     

一种低磁矩、大功率复合稀土石榴石铁氧体的工艺和性能研究

为满足低场区几百兆赫的超大功率器件的性能要求,以钇铁石榴石铁氧体为基础,制备了一种低磁矩复合稀土石榴石铁氧体YGd CaVInIG,研究了少量Mn3+替代Fe3+和预烧温度、烧结温度对铁氧体性能和结构的影响。实验表明,以少量Mn3+替代Fe3+可以提高铁氧体电阻率,降低磁损耗和介电损耗。Mn3+掺入量以x为0.04～0.06比较合适,铁氧体最佳予烧温度为1050℃,最佳烧结温度1350～1380℃,保温5h,氧气中烧结,其性能为:4πMs=500±10%kA·m-1,ΔH=5.25～5.55kA·m-1,TC>180℃,tgδe≤0.5×10-5,这种材料适合微波低频段器件性能要求。X射线衍射分析指出,掺Mn3+的YGdCaVInIG铁氧体相变完全,呈单相复合石榴石铁氧体,空间群为I230,点阵常数1.25057～1.25101nm,单胞分子数n为7.75～7.80。     

一种小尺寸抗弯曲光纤的制备与性能研究

制备了一种外径远小于常规G.652光纤的大模场抗弯曲单模光纤.通过设计凹陷包层的预制棒结构,提高光缆光纤的抗弯曲性能,同时保持与G.652光纤相似的模场直径.测试结果显示光纤涂层外径为180μm、模场直径为9.1μm,且在7.5 mm半径单圈弯曲下,其宏弯损耗低于0.4 dB@1550 nm,长期环境性能附加衰减不大于...     

长周期光纤光栅:原理、制备与应用

较全面介绍了长周期光纤光栅。对比Bragg光纤光栅说明了长周期光纤光栅的特点。对其耦合机理进行了分析 ,阐明了波长选择损耗特性。介绍了长周期光纤光栅的制备方法 ,大致分之为基于非形变的制备方法和基于形变的制备方法。详细阐述其在通信、传感领域的应用 ,尤其是新型应用 :带通滤波、光上下路复用、光纤光源、偏振器件、新型传感等。并针对长周期光纤光栅对温度、应力、外部折射率敏感的特性 ,探讨了调谐性以及温度稳定性的方案     

脉冲磁化条件下非晶磁芯的损耗特性

基于工频或高频磁化条件下磁芯的测试数据不能准确反映磁芯在单次脉冲磁化下的性能,给出了一种脉冲磁化条件下磁芯性能的测试方法和数据处理方法,实验研究了快脉冲磁化条件下非晶态合金磁芯的损耗特性,磁芯最短饱和时间67 ns,最大磁化速率达到40 T/s。通过数据处理,给出了磁芯损耗与磁化速率的关系曲线,获得了不同磁化速率下磁芯的损耗数据。分析了脉冲磁化条件下涡流损耗和磁滞损耗所占的比例。研究结果表明:脉冲磁化条件下非晶态合金磁芯损耗与磁化速率关系符合饱和波模型,磁芯损耗随磁化速率增大而线性增大。