全文获取类型
收费全文 | 6800篇 |
免费 | 1658篇 |
国内免费 | 3015篇 |
专业分类
化学 | 5097篇 |
晶体学 | 391篇 |
力学 | 875篇 |
综合类 | 203篇 |
数学 | 534篇 |
物理学 | 4373篇 |
出版年
2024年 | 73篇 |
2023年 | 260篇 |
2022年 | 320篇 |
2021年 | 306篇 |
2020年 | 236篇 |
2019年 | 278篇 |
2018年 | 176篇 |
2017年 | 248篇 |
2016年 | 306篇 |
2015年 | 306篇 |
2014年 | 622篇 |
2013年 | 473篇 |
2012年 | 491篇 |
2011年 | 531篇 |
2010年 | 488篇 |
2009年 | 482篇 |
2008年 | 609篇 |
2007年 | 476篇 |
2006年 | 486篇 |
2005年 | 462篇 |
2004年 | 452篇 |
2003年 | 410篇 |
2002年 | 339篇 |
2001年 | 339篇 |
2000年 | 300篇 |
1999年 | 237篇 |
1998年 | 233篇 |
1997年 | 227篇 |
1996年 | 235篇 |
1995年 | 181篇 |
1994年 | 185篇 |
1993年 | 124篇 |
1992年 | 149篇 |
1991年 | 133篇 |
1990年 | 125篇 |
1989年 | 85篇 |
1988年 | 31篇 |
1987年 | 32篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 7篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
4.
5.
6.
7.
铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向.
关键词:
电迁移
铝互连
微结构 相似文献
8.
9.
Srinivasan G. 《物理学报》2006,55(5):2548-2552
讨论了Ni0.8Zn0.2Fe2O4 (NZFO)与锆钛酸铅(PZT)的双层膜结构样品的磁电(ME)效应.NZFO粉料由溶胶-凝胶法制成,再经900℃热压,并高温烧结.在该双层膜中测量到了很强的磁电相互作用.发现横向的磁电效应比纵向效应大一个数量级,并且随NZFO烧结温度的提高而增加.当烧结温度从950℃上升到1380℃时,横向ME电压系数(αE)的最大值变化范围为25.6 mV Am-2≤αE≤199.6 mV Am-2.理论分析显示NZFO-PZT双层膜样品中ME效应源于NZFO与PZT之间相对良好的磁电耦合.
关键词:
镍铁氧体
PZT
热压法
ME效应 相似文献
10.