首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5820篇
  免费   728篇
  国内免费   6395篇
化学   11052篇
晶体学   134篇
力学   82篇
综合类   147篇
数学   15篇
物理学   1513篇
  2024年   49篇
  2023年   170篇
  2022年   232篇
  2021年   227篇
  2020年   198篇
  2019年   189篇
  2018年   149篇
  2017年   170篇
  2016年   204篇
  2015年   232篇
  2014年   506篇
  2013年   408篇
  2012年   385篇
  2011年   393篇
  2010年   380篇
  2009年   476篇
  2008年   522篇
  2007年   429篇
  2006年   483篇
  2005年   571篇
  2004年   468篇
  2003年   573篇
  2002年   492篇
  2001年   465篇
  2000年   378篇
  1999年   355篇
  1998年   355篇
  1997年   376篇
  1996年   297篇
  1995年   262篇
  1994年   277篇
  1993年   256篇
  1992年   294篇
  1991年   282篇
  1990年   290篇
  1989年   318篇
  1988年   153篇
  1987年   158篇
  1986年   157篇
  1985年   134篇
  1984年   106篇
  1983年   102篇
  1982年   14篇
  1981年   6篇
  1951年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 44 毫秒
1.
2.
在1100℃制备了钙钛矿型非计量系列物Sr_(1-x)Bi_xFeO_(3-y),与文献相比,明显具有温度低、时间短、能耗少的特点。用化学分析方法测得其化学式及Fe离子的平均价态,用XRD、交流阻抗、IR、Mossbauer谱等方法研究了其结构与性质,该类化合物具有Pm3m对称性和半导体性质,铁离子会产生电荷歧化现象。  相似文献   
3.
4.
报道了5种新的α,α′-二氧代烯酮环二氮代缩醛化合物的NMR谱,初步探讨了分子结构对化学位移的影响.  相似文献   
5.
孙福革  PJ.  Sarr 《化学物理学报》1997,10(4):289-294
根据在喷嘴出口附近电子枪来电离产生离子种子,在射流中形成连续,高密度的团簇离子束的设计思想,建造了连续的团簇离子束源,探索并优化了影响团簇离子束质量的因素,如电子枪的位置,滤束器的结构,滤束器与喷嘴间的距离等,初步研究了进气配对比氮氩团簇离子形成的影响,以氩气作为载体,适量的氮气,有助于Ar-N^+2的形成。  相似文献   
6.
张殷全 《大学化学》2002,17(2):55-59
介绍了插烯规则的提出及其在解释和预测“异常”反应和“异常”产物以及“异常”理化性质上的应用  相似文献   
7.
金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
对用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属β-二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述,对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍,并对它们的应用前景作了展望。  相似文献   
8.
9.
在程序升温条件下 ,用DSC研究了标题化合物的放热分解反应动力学 .用线性最小二乘法、迭代法以及二分法与最小二乘法相结合的方法 ,以积分方程、微分方程和放热速率方程拟合DSC数据 .在逻辑选择建立了微分和积分机理函数的最可几一般表达式后 ,用放热速率方程得到相应的表观活化能 (Ea)、指前因子 (A)和反应级数 (n)的值 .结果表明 :该反应的微分形式的经验动力学模式函数、Ea 和A值分别为 (1-α) 0 .44、2 30 .4kJ/mol和 10 18.16s-1.借助加热速率和所得动力学参数值 ,提出了标题化合物放热分解反应的动力学方程 .该化合物的热爆炸临界温度为 30 2 .6℃ .上述动力学参数对分析、评价标题化合物的稳定性和热变化规律十分有用 .  相似文献   
10.
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号