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1.
2.
引上法Nd:YAG晶体形貌和晶体生长机理   总被引:3,自引:3,他引:0  
  相似文献   
3.
磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.  相似文献   
4.
采用光学显微镜和扫描电子显微镜等手段,对某轻型汽车40Cr后桥半轴断裂件的组织及断口特征进行了分析结果表明:半轴在调质处理时的淬火温度不够高,使其表层和心部组织中存在较多的铁素体相,造成了工件最终的硬度和疲劳强度不足,导致半轴在使用中发生扭转疲劳断裂.  相似文献   
5.
热丝加热电流对CH薄膜沉积速率和表面形貌的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 热丝辅助裂解法是结合气相沉积制备聚对二甲苯薄膜和热丝化学气相沉积而形成的一种制-CH薄膜的新方法。热丝辅助裂解法的最大特点就是在保持低衬底温度情况下可以获得高沉积速率,而热丝加热电流对薄膜沉积速率和薄膜表面形貌具有重要影响。研究表明,热丝加热电流越大,薄膜沉积速率越高,在加热电流9A时,薄膜沉积速率可达0.002mm/min,同时薄膜表面粗糙度随之增加,薄膜表面也开始出现其它元素污染,因此,一般热丝加热电流选择为7A附近。  相似文献   
6.
Nd:GdVO4单晶的生长、位错和形貌   总被引:4,自引:1,他引:3  
用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd:GdVO4)单晶,并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑,测定了(100)面晶体位错密度为600个/mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌,可采用简单光学方法确定晶体方向。  相似文献   
7.
两步相移实现投影栅相位测量轮廓术   总被引:9,自引:2,他引:7  
康新  何小元 《光学学报》2003,23(1):5-79
提出一种新的投影栅相位测量方法--两步相移法。该方法只需两幅相移条纹图,因此计算量小,速度快。给出了实验及计算结果,并同四步相移法进行了比较,证明了该方法具有较高的精度。  相似文献   
8.
《物理通报》2006,(2):48-48
近日,中科院物理所和金属所合作,共同参与搭载我国第22颗返回式卫星进行空间微重力实验。在空间微重力环境下,观察了银基合金和半导体化合物熔滴形貌变化、液/固界面的润湿过程及熔滴凝固前后接触角的差异,研究了液/固界面反应及特性表征,并成功地完成了近距离摄像机、有视窗加热炉等硬件的研制,取得了预定结果。  相似文献   
9.
10.
在尿素及硝酸铈的混合溶液中分别加入表面活性剂CTAB、 PEG19000、OP-10,利用均相沉淀法合成了不同形貌的CeO2超细前驱体Ce2O(COa)2·H2O,采用X射线衍射及透射电子显微镜等测试手段,对产品的物相和形貌进行了表征.实验结果表明,所得产品均为斜方晶系的单晶Ce2O(CO3)2·H2O,且表面活性剂的加入使晶体的晶化程度明显提高;添加不同的表面活性剂得到不同形貌尺寸的产物: 阳离子型表面活性剂CTAB对Ce2O(CO3)2·H2O晶体的形貌影响不大,所得产物尺寸变小,且分散性得到一定的改善;非离子型表面活性剂对所得产物的形貌影响显著.加入PEG19000和OP-10分别得到了形状排列有序的、尺寸较均匀的、较规则无团聚的微米棒及具有紧密结合中心的发散状的花样微粒.不同形貌前驱体的形成与晶粒形成生长机理的改变有关.  相似文献   
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