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1.
就标准厚度卡片在霍尔传感器的定标方面的应用作了有益的探讨。在纵向测量微小长度时,霍尔片处于磁场边缘位置,其对磁场的梯度更大,即灵敏度更高,且靠中心位置的线性更好。 相似文献
2.
利用G-四链体DNA(T30695)催化Zn2+插入到中卟啉IX(MPIX)中,引起荧光偏移的特点,建立了检测Zn2+的方法。在40μmol/L MPIX、0.6μmol/L Pb2+、5μmol/L T30695和1%Triton的最优实验条件下,该方法在Zn2+浓度为0.5~5μmol/L范围内呈现良好的线性关系,相关系数R2=0.95,检出限为73.5 nmol/L。离子选择性实验表明该方法对Zn2+具有较好的选择性,用于实际样品测定,回收率在94.7%~100.4%之间。 相似文献
4.
5.
6.
7.
基于密度泛函理论(DFT),用完全势能线性缀加平面波方法(FPLAPW)计算模拟了MnO2的同质多相变体(金红石型结构、CaCl2型结构、黄铁矿型结构),通过计算,预测了β-MnO2在5 GPa时从金红石型结构转变为CaCl2型结构,在20 GPa时进一步转变为黄铁矿型结构。另外,还总结和比较了几种金红石型结构二氧化物的压致相变特点,得出第Ⅳ主族元素的金红石型结构氧化物有很好的规律性,发生的相变序列基本一致;并随着金属阳离子半径的增大,发生相变的压力值也相应地递减,各氧化物的体积模量值相应地减小。 相似文献
8.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
9.
介绍了车用压差式气体流量传感器的结构设计和电测电路,指出了传感器的使用范围,由实验测出了特性曲线.该仪器可检测车用发动机曲轴箱窜气量,适用于发动机不解体故障诊断. 相似文献
10.