全文获取类型
收费全文 | 5464篇 |
免费 | 1669篇 |
国内免费 | 1682篇 |
专业分类
化学 | 1489篇 |
晶体学 | 183篇 |
力学 | 2934篇 |
综合类 | 157篇 |
数学 | 688篇 |
物理学 | 3364篇 |
出版年
2024年 | 52篇 |
2023年 | 177篇 |
2022年 | 219篇 |
2021年 | 195篇 |
2020年 | 152篇 |
2019年 | 168篇 |
2018年 | 130篇 |
2017年 | 191篇 |
2016年 | 172篇 |
2015年 | 216篇 |
2014年 | 327篇 |
2013年 | 305篇 |
2012年 | 284篇 |
2011年 | 341篇 |
2010年 | 374篇 |
2009年 | 387篇 |
2008年 | 451篇 |
2007年 | 374篇 |
2006年 | 426篇 |
2005年 | 360篇 |
2004年 | 386篇 |
2003年 | 337篇 |
2002年 | 282篇 |
2001年 | 284篇 |
2000年 | 265篇 |
1999年 | 211篇 |
1998年 | 185篇 |
1997年 | 183篇 |
1996年 | 182篇 |
1995年 | 200篇 |
1994年 | 172篇 |
1993年 | 154篇 |
1992年 | 156篇 |
1991年 | 143篇 |
1990年 | 148篇 |
1989年 | 113篇 |
1988年 | 54篇 |
1987年 | 41篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有8815条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
缓发中子有效份额βeff是反应堆动态特性的重要参数,也是相对反应性与绝对反应性之间的转换桥梁,对于以反应性作为宏观参数的检验工作具有重要意义。测量采用基于Rossi-α方法的Nelson数法开展了快临界装置βeff的实验研究。通过采用铅屏蔽、更薄的6Li玻璃闪烁体、脉冲幅度甄别三种措施,降低了γ射线对测量的影响。实验中测量了反应堆从-60¢到缓发临界之间的7个状态,最终测量得到βeff值为0.006 66,不确定度为7.88%;与理论计算数值偏差为2.15%。测量结果与理论值符合良好,表明了测量方法的有效性。 相似文献
3.
4.
本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMn3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优良.实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的. 相似文献
5.
6.
本文提出了一个含有两类相互作用的准自旋模型,讨论了模型Hamilton量在SU(2)×SU(2)基中的严格解、基态相变和波函数的K结构,并用此模型探讨了HF近似的有效性。 相似文献
7.
采用Agilent 81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(Differential Group Delay,DGD)表征的偏振模色散(Polarization Mode Dispersion,PMD).研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的.因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响. 相似文献
8.
我们用最近研制成功的LMA型低频力学谱测试系统对NiTi合金马氏体相进行了在很大频率范围内(0.003~1Hz)的低频等温力学谱和温度谱的测量.我们研究的形状记忆合金NiTi(Ni50.2at%)试样长34mm,直径1mm细丝.经一定热处理,分别在333K.343K和353K做了内耗随频率的变化的测量。实验表明:频率越小,内耗越大,也就是内耗随频率减少而增大。同时我们采用阶梯升温的方法在八个温度下每个温度测量三种频率(1Hz,0.1Hz,0.01Hz)的内耗,结果清楚地表明:不同频率下,内耗峰都出现在372K(99℃)。而且频率越低,峰高越高。这是具有相变峰的特点:相变峰的峰温不随测量频率不同而变化,相变峰高度随频率减少而增大。我们还测量了在1Hz与0.5Hz频率下内耗随温度的变化。本文用马氏体相的位错理论初步讨论了上述实验结果。 相似文献
9.
10.