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用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
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本文评述了压力对电热原子化的影响。惰性气体压力对石墨炉原子吸收光谱分析特性的影响归结为压力对试样蒸发速率的影响和原子蒸气的吸收系数随气体压力增加而降低(罗伦兹效应)。加压下原子化有下列优点:(1)非线性校准曲线的线性化;(3)增加校准曲线的线性动态范围;(3)减小光源放电条件变化引起的影响,提高了精密度和降低检出极限;(4)减小了气相干扰。但是,峰高与峰面积灵敏度随压力增加而降低。采用连续光源和加压原子化能显著提高灵敏度和降低检出极限。 相似文献