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1.
2.
3.
本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMn3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优良.实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的. 相似文献
4.
5.
采用Agilent 81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(Differential Group Delay,DGD)表征的偏振模色散(Polarization Mode Dispersion,PMD).研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的.因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响. 相似文献
6.
We employ a first-principles plane wave method with the
relativistic analytic pseudopotential of Hartwigsen, Goedecker and Hutter
(HGH) scheme in the frame of DFT to calculate
the equilibrium lattice parameters and the thermodynamic properties of
AlB2 compound with hcp structure. The obtained lattice parameters are in
good agreement with the available experimental data and those calculated by
others. Through the quasi-harmonic Debye model, obtained successfully are
the dependences of the
normalized lattice parameters a/a0 and c/c0 on pressure P, the normalized
primitive cell volume V/V0 on pressure P, the variation of the thermal
expansion α with pressure P and temperature T, as well as the Debye
temperature \ThetaD and the heat capacity CV on pressure P and
temperature T. 相似文献
7.
张志让 《数学年刊A辑(中文版)》2006,(2)
如果群 G 的所有真商群都是 FO-群,但是群 G 本身不是 FO-群,则称 G 为外 FO-群,本文将给出外 FO-群完全的结构描述. 相似文献
8.
9.
完全非线性偏微分方程解的Gevrey微局部正则性 总被引:1,自引:1,他引:0
本文中,我们首先简要回顾了Gevrey类中的仿微分运算,然后考察了相关的完全非线性偏微分方程的象征的一些性质。作为应用,我们得到解在椭圆点附近的Gevrey微局部正则性。 相似文献
10.
本文进一步讨论了我们新近提出的等近邻数键球谐函数方法,并通过分子动力学模拟研究了熔融LiCl及其急冷过程。对计算机模拟各时间步产生的瞬态构型进行平均,计算了不同温度下键序Ql谱.将模拟Ql谱与线性组合模型Ql谱比较,观察到模拟Ql谱与含90%局部正四面体结构的组合模型十分相似,表明熔融Licl及其急冷非晶中局部键取向序明显倾向于正四面体序。急冷过程中不同温度下局部键取向序可用同一线性组合模型描述,但模型方差随模拟温度明显变化。方差随温度而降低,且在发生玻璃态转变时有一显著下降。不同温度下的键角分布也作了计算,观察到键角分布在109°(正四面体局部结构键角)附近且分布峰随温度升高而展宽,与键序Ql得到的结论一致。 相似文献