极化子导电到能带导电的转变

采用交流法测量大功率商用钛酸钡(BT)陶瓷加热器的电阻和加热功率随温度的变化关系.结果显示,BT陶瓷的电导特性在80℃附近出现了明显的转变,从低温时的极化子跳跃导电转变为高温时的能带导电,此时,电阻出现极小值,而加热功率出现极大值.     

基片温度和退火对DdIn2O4薄膜光学性质和载流子浓度的影响

对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜，研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱，光学常数和载流子浓度的影响。结果表明：提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度，退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高，薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移，而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中，这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。     

磁拱的运动学无力场

本文首先推导了完全导电流体内运动学磁拱无力场的基本方程，接着考虑了静态解和不定常相似性解．     

混凝土动态劈裂拉伸试验的数值模拟

采用LS-DYNA有限元编码程序，对混凝土的动态劈裂拉伸试验进行了数值模拟，给出了混凝土试样在不同类型加载情况下应力分布之间的差异，证实了动态劈裂拉伸试验的有效性，提出了改进试验方法的若干结论．     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加     

液晶显示器用导电粉的扫描电镜图像

液晶显示器用导电粉的形状、尺寸及偏差对于液晶显示屏的质量控制来说是非常重要的。论述了液晶显示器(LCD)用导电粉的作用和性能要求。给出了液晶显示器用导电粉的扫描电镜图像。该图像对观测导电粉的粒径分布、导电粉在导电点中的浓度和分析导电点缺陷、提高液晶显示器的产品质量具有一定的意义。     

混凝土靶球形腔膨胀侵彻模型应用

Bishop等人于1945年开始用解析方法研究侵彻机理，导出了柱形腔和球形腔的准静态v膨胀方程，后来这种方法被称为空腔膨胀理论。目前，空腔膨胀理论已经在多种不同材料靶的侵彻研究中获得较为普遍的应用。Forrestal等人于1997年提出了一个适用于混凝土材料靶的球对称空腔膨胀侵彻模型，模型对靶结构的描述是将其压力与体积应变的关系理想化为不可压或线性可压，而将剪切强度与压力的关系理想化为由一拉伸阈值表示的Mohr-Coulomb准则。     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.     

高强混凝土弯压极限应变试验研究与计算

由于混凝土材料理化特性的差异,高强混凝土的弯压极限应变明显地小于普通混凝土,依据试验结果分析了高强混凝土的弯压极限应变变化规律,并给出了它的计算公式.     

对《预应力混凝土配合比的优化》的质疑

贵刊90年第2期《预》文极有新意,但笔者有不少疑问。(以《预》代原题名,以砼代混凝土) 根据钢筋混凝土施工及验收规范GBJ204—83和GBJ107-87两种国标都规定要符合2个条件才能判别为合格. ①Rn-K.Sn≥0.85R标 ②R小≥0.85R标 式中Rn-n组试块强度平均值; K-合格判定系数n≥25时 K=1.60; R小—n组试块强度中最小值; R标-混凝土设计强度; Sn-n组试块强度的标准差; 按《预》文优化后R=4265kg/cm～2,而均方差和试块组的极小值都没说明.根据判定公式①计算结果344.2kg/cm～2≥340kg/cm～2刚好合格,而对于判别式②R小≥0.85R标难以通过. 现…