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1.
2.
多级制造系统是现代制造业的主要加工方式,系统的每一级的加工速度和加工周期是系统设计的主要决策变量,正确确定这两个变量是系统得到优化的主要目标。本文导出了系统优化的基本模型,它包括系统各级的生产时间、等待时间、生产速度、生产成本以及系统的循环时间、总成本、产品利润和利润率等,并给出了一个应用实例。  相似文献   
3.
电源多级过电压保护的电磁暂态分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文在对低压交流电源多级过电压保护装置核心器件——氧化锌压敏电阻进行残压计算和试验的基础上,确定了氧化锌压敏电阻的计算模型,根据这一模型,采用电磁暂态计算程序(EMTP)对交流电源多级过电压保护装置的保护性能以及各级参数配合进行了分析.  相似文献   
4.
多级轴流压气机全工况特性计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文使用三维粘性流动计算软件Fine/Numeca,对某十五级轴流压气机进行了内流流场和全工况特性的数值计算尝试。分析了该压气机在设计工况和非设计工况的性能,同时把整机计算结果和前七级叶片的计算结果进行了比较。计算结果表明,当计算的级数较少时,目前的软件和硬件平台可以比较合理地预测压气机的全工况特性;而当计算的级数较多时,准确的数值模拟仍需要更为准确的多级模型和数值方法。  相似文献   
5.
刺五加味中黄酮类化合物的分析   总被引:9,自引:0,他引:9  
陈貌连  宋凤瑞等 《分析化学》2002,30(6):《分析化学》-2002年30卷6期-690-694-页-《分析化学》-2002年30卷6期-690-694-页
利用电喷雾多级串联质谱(ESI-MS^n)技术,分析了刺五加叶中黄酮类化合物,并根据黄酮类化合物的特征显色反应,采用紫外-可见分光光度法,对刺五加叶中总黄酮的含量进行了测定。分析结果表明:刺五加叶含有槲皮素及其相关的黄酮甙类化合物,其含量达37.25%。  相似文献   
6.
猴头菌寡糖的分离及其结构确定   总被引:2,自引:0,他引:2  
报道了从猴头菌浸膏中分离出猴头菌二糖和三糖, 并确定了其化学结构.  相似文献   
7.
光电高分子由于本身良好的光电性能、结构易修饰、良好的加工性及其柔性、便携等优点,被广泛应用于有机发光二极管、有机太阳能电池、有机激光器、场效应晶体管等领域,被誉为第四代高分子材料。与传统高分子材料相类似,光电高分子的多级结构是决定材料性质、稳定性及其应用的重要因素。本文立足于前期的工作基础,阐明了研究光高分子多级结构的重要性,划分了多级结构相应的研究领域和方向:一级结构(分子链结构)、二级结构(单分子链行为及其形态特征)、三级结构(凝聚态结构:无规相态、结晶相态等)以及高级结构(多种凝聚态结构协同作用产生新功能、新现象);简要总结了光电高分子多级结构的研究现状,提出多级结构的协同作用是实现高性能、高稳定光电子器件的重要前提。  相似文献   
8.
基因工程技术已经成为研究和生产重组人血清白蛋白(rHSA)替代人血清白蛋白(HSA)的重点技术,而白蛋白的纯化则是该技术的关键。本文主要介绍了从转基因猪血中纯化rHSA的一种新方法,即热乙醇沉淀与多级色谱分离相结合的rHSA纯化方法。热乙醇沉淀法可从猪血浆中获得rHSA粗提取液,此时rHSA的纯度可达69.5%,回收率达51.3%。进一步采用多级色谱分离法,即阴离子交换色谱和反相色谱法进一步纯化,得到rHSA的最终纯度约为100.0%,总回收率为41.1%。该方法为从转基因猪血浆中大规模纯化用于临床和生化研究的高纯度rHSA提供可能,同时也为rHSA替代HSA奠定了基础。  相似文献   
9.
闪光二号加速器气体主开关同步触发系统   总被引:5,自引:5,他引:0       下载免费PDF全文
 设计并调试了闪光二号加速器气体主开关同步触发系统。该系统主要由同步控制部分和高压脉冲形成部分构成。整个触发过程包括同步信号的引出、整形滤波、快速比较电路传输、前级脉冲形成、高压脉冲产生。通过对同步信号的整形处理,解决了发生器电流上的高频信号干扰问题;经过快速比较电路和前级脉冲后,选取了同步信号开始工作的时间点,并形成十几V的触发信号;高压脉冲形成部分主开关采用场畸变结合预电离的方式,该结构的气体开关时间响应为50 ns,抖动小于5 ns,满足使用要求。调试结果表明:该系统输出脉冲电压幅值100 kV,前沿小于10 ns,系统的工作时延440 ns,抖动13.5 ns;可通过增加电缆长度来控制触发信号到达气体开关的时刻,实现气体主开关与Marx发生器的延时同步工作。  相似文献   
10.
相变型半导体存储器研究进展   总被引:16,自引:0,他引:16  
刘波  宋志棠  封松林 《物理》2005,34(4):279-286
文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C—RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.  相似文献   
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