全文获取类型
收费全文 | 1999篇 |
免费 | 654篇 |
国内免费 | 235篇 |
专业分类
化学 | 202篇 |
晶体学 | 14篇 |
力学 | 982篇 |
综合类 | 45篇 |
数学 | 167篇 |
物理学 | 1478篇 |
出版年
2024年 | 16篇 |
2023年 | 75篇 |
2022年 | 90篇 |
2021年 | 84篇 |
2020年 | 67篇 |
2019年 | 77篇 |
2018年 | 53篇 |
2017年 | 79篇 |
2016年 | 77篇 |
2015年 | 89篇 |
2014年 | 168篇 |
2013年 | 95篇 |
2012年 | 121篇 |
2011年 | 147篇 |
2010年 | 136篇 |
2009年 | 139篇 |
2008年 | 148篇 |
2007年 | 132篇 |
2006年 | 115篇 |
2005年 | 109篇 |
2004年 | 103篇 |
2003年 | 91篇 |
2002年 | 67篇 |
2001年 | 68篇 |
2000年 | 56篇 |
1999年 | 51篇 |
1998年 | 42篇 |
1997年 | 46篇 |
1996年 | 41篇 |
1995年 | 48篇 |
1994年 | 37篇 |
1993年 | 46篇 |
1992年 | 39篇 |
1991年 | 50篇 |
1990年 | 26篇 |
1989年 | 31篇 |
1988年 | 13篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
排序方式: 共有2888条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
6.
用XRD,ESR和TPD等技术研究冲击波处理的结晶MgO后发现,MgO的晶格发生畸变,微应力值ε1/2D显著增大,有大量缺陷产生并形成F心,晶体的平均晶粒减小,且表现出各向异性,从而引起了催化剂表面碱中心强度增大,数目变化,在对乙烷氧化脱氢反应中表现出较高的活性和对乙烯的选择性,初步讨论了可能的结构模型和催化机理。 相似文献
7.
8.
9.
10.
应用电磁线路中涨落耗散理论,推导了不同温度均匀二半空间接触后产生辐射场密度的公式。将此公式近似展开后,即得Grover和Urtiew所获得的表示式,不过多了一松弛项,该项如用非富里叶热传导理论推导,也是存在的。该结果和实验结果一致,不过这里的松驰时间可以应用介质性质进行计算。 相似文献