C2(×)Cn量子系统的最大纠缠混合态

讨论了C2(×)Cn量子系统的最大纠缠混合态,得到了Negativity纠缠度下的最大纠缠混合态的解析结果,并计算了该态在非满秩情形下的量子相对熵纠缠度.     

实验研究二维圆柱后尾流中涡脱落的有序和混沌现象

本文给出了在Re=50—400范围内二维圆柱后涡脱落的有序和混沌现象的一些初步实验结果。涡脱落由有序到混沌的转捩发生在Re=184.6—193.5之间,但是它不是通过准周期途径。在涡脱落频率与Re数的关系曲线上有两个间断。在Re=70处的间断可能对应于倾斜涡脱落模式的变化,在Re≈193.5处的第二间断对应于由有序到混沌状态的转捩。     

ON THE UNIQUENESS OF THE WEAK SOLUTIONS OF A QUASILINEAR HYPERBOLIC SYSTEM WITH A SINGULAR SOURCE TERM

This paper is a continuation of the authors'previous paper[1].In this paper the authorsprove,assuming additional conditions on the initial data,some results about the existence anduniqueness of the entropy weak solutions of the Cauchy problem for the singular hyperbolicsystem a_t+(au)_x_2au/x=0,u_t+1/2(a~2+u~2)_x=0,x>0,t≥0.     

快冷Fe_(71)Al_(29)合金中的两个内耗峰

用一个计算机控制的倒扭摆研究了快冷Fe71 Al2 9合金中的两个内耗峰 .在快冷的Fe71 Al2 9样品中分别在 180℃(P1 ) ,340℃ (P2 )和 5 10℃ (P3)出现了内耗峰 ,而在慢冷的Fe71 Al2 9样品中只发现了P3峰 .快冷样品中的P1 和P2峰在从 6 5 0℃冷却下来的测量过程中或在 35 0℃经过较长时间的时效后消失 ,其峰高随时效时间的增加而下降 ,直至消失 .P1 和P2 峰都有弛豫特征 ,它们的激活能分别为 :H1 =1.0 3± 0 .0 8eV(P1 峰 ) ;H2 =1.6 4± 0 .0 5eV(P2 峰 ) .P1 峰被认为是无序合金中Al原子在四面体点阵内的最近邻运动所引起 ,P2 峰则是无序合金中Al原子在四面体点阵内的次近邻运动所引起     

对负熵、信息熵和熵原理等概念之厘清

 20世纪中叶以来,生命科学和信息科学都获得了长足的发展,与之相关的负熵、信息熵等新概念也应运而生。这些新概念目前也开始受到物理学工作者的青睐。但是,人们在接受这些新概念时,却往往会产生一些混淆和误解。比如,有人“将信息的熵称为负熵”,这就把“信息熵”(不确定性)误解为“负熵”(即信息,是消除不确定性)。另外,在理解负熵原理时,若不小心,也容易把过程量(信息)与态函数(信息熵)相混淆。因此,有必要对这些相关概念和规律稍予厘清。     

记录媒体用薄膜材料及相关靶材的技术和发展

 信息化时代随着计算机技术的普及来到我们面前,其突出表现是信息总量和信息交换的剧增,因此,发展海量存储技术日趋重要。随着信息及计算机技术的不断发展,对其作为主要工具的记录媒体的需求越来越大,要求越来越高。记录媒体中大多数磁盘、磁光盘、光盘是以相关靶材磁控溅射而成的,因此,为满足信息记录媒体的高密度化、小型化和低价格化,需要对其相关靶材的成分、制造工艺、性能和溅射工艺做进一步研究。目前,随着新材料的开发和记录媒体的发展,磁光盘、光盘用靶材市场在不断增长。尤其近几年CD、VCD、DVD市场的迅速扩大,其相关靶材的前景也日益被看好。     

一类熵函数的最大值问题

本文研究了一类熵函数的最大值问题，发现它们的最大值是对应多项式的最大正根的对数值。同时本文给出了这类多项式的最大正根的一些性质。     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.     

关于微分熵的一类强偏差定理

利用关于乘积分布密度的相对熵和相对熵率的概念,建立了相依连续型随机变量序列关于参考微分熵的一类强偏差定理,证明中给出了将Laplace变换应用于微分熵强偏差定理的研究的一种途径．