全文获取类型
收费全文 | 4624篇 |
免费 | 3384篇 |
国内免费 | 1519篇 |
专业分类
化学 | 1700篇 |
晶体学 | 863篇 |
力学 | 390篇 |
综合类 | 130篇 |
数学 | 99篇 |
物理学 | 6345篇 |
出版年
2024年 | 41篇 |
2023年 | 124篇 |
2022年 | 163篇 |
2021年 | 170篇 |
2020年 | 91篇 |
2019年 | 130篇 |
2018年 | 118篇 |
2017年 | 166篇 |
2016年 | 183篇 |
2015年 | 268篇 |
2014年 | 467篇 |
2013年 | 424篇 |
2012年 | 357篇 |
2011年 | 360篇 |
2010年 | 438篇 |
2009年 | 431篇 |
2008年 | 549篇 |
2007年 | 464篇 |
2006年 | 518篇 |
2005年 | 568篇 |
2004年 | 453篇 |
2003年 | 394篇 |
2002年 | 372篇 |
2001年 | 308篇 |
2000年 | 278篇 |
1999年 | 233篇 |
1998年 | 210篇 |
1997年 | 248篇 |
1996年 | 217篇 |
1995年 | 200篇 |
1994年 | 125篇 |
1993年 | 106篇 |
1992年 | 118篇 |
1991年 | 78篇 |
1990年 | 64篇 |
1989年 | 58篇 |
1988年 | 14篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 3篇 |
排序方式: 共有9527条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMn3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优良.实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的. 相似文献
2.
YBCO超导薄膜临界温度TC的直流测量方法的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
国家超导中心组织啊四个单位对YBCO超导薄膜临界温度TC直流测试方法进行了研究。各单位测得的TC的变化系数小于1%。 相似文献
3.
4.
5.
6.
7.
FENGKaiming 《核工业西南物理研究院年报(英文版)》2002,(1):36-40
A fusion breeder might be an essential intermediate application of fusion energy at earlier term, since it has the potential to provide plenty of commercial fissile fuel. Based on fusion physics and technologies available at present and in the near future, the realistic fusion experimental breeder, FEB-E was designed. 相似文献
8.
采用固相反应法合成了单相的Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_xNiSn(x=0·00—0·15),并用放电等离子烧结方法制备出密实块体材料.研究了Hf和Zr同时在Ti位上的等电子合金化对Ti基半Heusler化合物热电性能的影响规律.结果表明:少量的Hf和微量的Zr在Ti位上的等电子合金化,显著地降低了体系的热导率κ,同时显著地提高了体系的Seebeck系数α.组成为Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_(0.15)NiSn的试样室温热导率为3·72W·m-1K-1,在700K时ZT值达到最大为0·56.与三元TiNiSn相比,在相同温度下ZT值的提高率为190%—310%. 相似文献
9.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
10.
用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米多层薄膜.利用透射电子显微镜以及吸收光谱对Au/SiO2复合薄膜的微观结构、表面形貌及光学性能进行了表征和测试.研究结果表明:单层Au/SiO2薄膜中Au沉积时间小于10s时,分散在SiO2中的Au颗粒随Au的沉积时间的延长而增大;当沉积时间超过10s后,Au颗粒的尺寸几乎不随沉积时间变化,但Au颗粒的形状由网络状结构变为薄膜状结构.[Au(t1)SiO2(600)]×5多层薄膜在540-560nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,且吸收峰的强度随Au的沉积时间增加而增强.基于修正后的Maxwell-Garnett (M-G)有效媒质理论,讨论了金属颗粒的形状对等离子共振吸收峰的峰位和强度的影响.模拟的吸收光谱与实验吸收光谱形状、趋势及吸收峰位相符合. 相似文献