Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。     

空间非相干多分量光束构成的非相干耦合屏蔽孤子对

两束本身具有空间非相干性的非相干多分量光束可以在光折变介质中形成非相干耦合 屏蔽孤子对，利用相干密度法得到了亮 亮、暗 暗型耦合孤子对的解，并研究了构成 非相干孤子对分量光束的相干组分的传播特性. 关键词： 空间非相干多分量光束 耦合孤子对 相干密度 相干组分     

邻苯二甲酸二丁酯对雌二醇与血清组分结合的影响

利用紫外分光光度法测定了邻苯二甲酸二丁酯 (DBP)、雌二醇 (E2 )与血清组分 3种物质间两两结合的二元体系和三元体系结合常数。结果表明 ,DBP、血清组分和 E2 三者之间能两两结合 ,其中以 E2 与血清组分的结合能力最强。当三者处于同一体系中 ,随着 DBP浓度的增加 ,E2 与血清组分 - DBP二元体系间的结合常数也逐渐增加 ,其最大值高出正常 E2 与血清组分结合常数 (7.5 4× 10 4mol-1· L )近一个数量级。这表明 ,DBP的存在可能不会与 E2 对血清组分进行竞争结合 ,但由于本身的结合特点 ,会减少血液中游离E2 的含量 ,从而影响细胞内雌激素的平衡     

中药微量挥发成分的联机分析：藿香头香成分分析

本文设计了直接蒸馏-顶空分析-预柱低温富集-毛细管色谱-质谱联机分析技术,有效地提取、浓缩、分离和鉴定了藿香的香气成分。实现了天然产物微量多组分的联机快速分析。并首次在霍香的头香成分中发现了乙酸甲酯、3-甲基丁酮、3-甲基-3-丁烯酮等一系列分子量小、易挥发的成分。     

掠入射X射线衍射研究Si覆盖层对Ge/Si量子点微结构的影响

利用掠入射X射线衍射和常规X射线衍射研究了Si(001)上的Ge量子点在不同厚度的Si覆盖层下微结构的变化,同时用AFM研究了其形貌变化.实验结果表明在小的覆盖度下,量子点中组分的变化已十分明显,同时量子点的形状也发生了明显的变化.     

LiNbO3∶Cr∶Cu晶体吸收特性及非挥发全息存储研究

研究了LiNbO3∶Cr∶Cu晶体的吸收特性,发现LiNbO3∶Cr∶Cu（含0.14 wt.% Cr2O3 和 0.011 wt.% CuO）晶体存在两个明显的吸收峰,中心波长分别位于480 nm和660 nm; 随着Cr的含量逐渐减小,Cu的含量逐渐增大,短波段不存在明显吸收峰,掺Cr的含量越大,中心波长在660 nm处的吸收越大；633 nm红光虽然位于中心波长为660 nm的吸收峰内,但它无助于光折变过程.分别采用390 nm紫外光和488 nm蓝光作为敏化光,514 nm绿光作为记录光的记录方案,实现了非挥发全息记录,掺入适量的Cr( 比如NCr=2.795×1025 m－3,NCr/ NCu=1)有助于全息记录性能的提高.     

Triterpenoid Constituents of Huperzia miyoshiana

Thirteen triterpenoids, including three new ones, miyoshianois A (1), B (2) and C (3), were isolated from Huperzia miyoshiana. The structures of these new compounds were established as 3-O-dihydroferuloyltohogenol (1), 16-oxo-3β,21β-dihydrox-y-serrat-14-en-24-ferulate (2) and 16-oxo-3a, 21β-dihydroxy-serrat-14-en-24-ferulate (3), respectively, on the basis of their spectroscopic analysis.     

Cu-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜的电导特性研究

用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为 10 % ,15 % ,2 0 %和 3 0 %的Cu MgF2 复合金属陶瓷薄膜 .用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特性进行了测试分析 .微结构分析表明 :制备的Cu MgF2 复合薄膜由fcc Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2 陶瓷基体中构成 ,Cu晶粒的平均晶粒尺寸随组分增加从 11 9nm增至 17 8nm .5 0— 3 0 0K温度范围内的电导测试结果表明 :当Cu体积分数qM 由 15 %增加到 2 0 %时 ,Cu MgF2 复合薄膜的电阻减小了 8个量级 ,得出制备的复合薄膜渗透阈qCM 应处于 15 %和 2 0 %之间 .qM 在 10 %和 15 %之间的薄膜呈介质导电状态 ,而在 2 0 %和 3 0 %之间的薄膜则呈金属导电状态 .从理论上讨论了复合薄膜中杂质电导和本征电导的激活能及其对电导的贡献 ,并讨论了Cu MgF2 复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈 ,得到了和实验一致的结果