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A layer of 40nm-thick Ag-SiN film with Ag nano-particles embedded and distributed randomly in the SiN thin film were deposited by the method of radiant-frequency magnetron sputtering. Specimens orderly comprising a random Ag-SiN film and an optical phase change recording layer were exposed to a focused laser beam with wavelength of 69Ohm. It is shown that, with a random Ag-SiN layer deposited above the recording layer. Calculation by the finite difference time domain method of a 4Ohm-thick SiN film under a Gaussian beam irradiation has been carried out to simulate the near-field distribution in the film, which showed a huge local near-field intensity enhancement of about 200 times if small Ag particles with diameter of 6 nm were modelled inthe SiN film in the central region of the in cident laser spot. 相似文献
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利用原位红外技术研究了CH3OH,CO,O2等在5%Ag/γAl2O3上的吸附情况及CH3OH和O2共吸附时表面物种的变化.结果表明,在表面纯净的Ag/γAl2O3催化剂上,甲醇的解离吸附仅发生在γAl2O3上;表面预吸附氧后,可大大增强Ag对CH3OH的解离吸附,当吸附的[CH3O]与[O]在Ag/γAl2O3上相互作用时,出现吸附态甲醛、甲二氧基、甲酸根等中间物种.O2在Ag/γAl2O3上存在非解离吸附(O-2),在真空中较易脱附,但在氧气氛下可于100℃时稳定存在. 相似文献
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G.A.Gamal M.AbouZied A.A.Ebnalwaled 《中国物理快报》2005,22(6):1530-1532
Single crystals of red Tl2S5 were prepared by a special modified vertical Bridgman and Stockbarger technique.This growth was performed in our laboratory. The influences of temperature on the electrical conductivity, Hall mobility, carrier concentration, and thermoelectric power (TEP) were carried out in the temperature range 277-413K. Throughout these measurements, various physical parameters such as effective mass of charge carriers,carrier mobility, diffusion coefficient, and the relaxation time for both majority and minority carriers were found. 相似文献
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