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1.
尚坤  高艺欣  赵乐  王力彬  岳昌武 《合成化学》2022,30(10):819-826
以1,4-二溴-2,5-二甲基苯和4-吡啶硼酸为原料,经两步合成了一种新颖的含吡啶基团的二羧酸配体。通过核磁共振氢谱及傅里叶变换红外光谱对配体结构进行表征,通过热重分析对配体的热稳定性进行了测试;通过溶剂热法对配体的单晶进行培养,并考察反应温度、时间、pH和溶剂等条件对单晶培养的影响。结果表明:在反应温度为80 ℃,反应时间为12 h、溶剂为蒸馏水、溶液pH=5的条件下可获得高质量单晶。该配体为单斜晶系,属于C2/c空间群,结构中含有4个氧原子和2个氮原子,可为金属离子的配位提供足够的位点,有望应用于配合物的设计或催化、吸附和医药载体等行业。  相似文献   
2.
金属与金刚石薄膜接触的电学特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
陈光华  张兴旺  季亚英  严辉 《物理学报》1997,46(6):1188-1192
用热丝辅助化学汽相沉积技术在Si衬底上合成了含少量受主型杂质的近于本征的金刚石薄膜,并研究了三种金属(Cu,Ag和Al)与它接触的电学特性,以及退火对接触特性的影响.结果表明Cu,Ag与金刚石薄膜接触的电学特性比较类似,而Al则明显不同;而且退火对它们的接触特性影响很大 关键词:  相似文献   
3.
 研究了超临界流体CO2在石墨-金刚石转变中的触媒作用。实验中,采用Ag2O作为流体触媒的先驱材料,在7.7 GPa压力下,Ag2O在1 200 ℃分解成Ag和O2,O2与石墨套管在高温高压下反应形成CO2超临界流体。研究结果表明,在7.7 GPa和1 500 ℃以上温度条件下,石墨在CO2流体触媒的作用下可转变为金刚石晶体,在1 500~1 700 ℃温度范围内合成出的金刚石具有完好的八面体形貌,与天然金刚石的生长特征非常相似。  相似文献   
4.
为验证国产大口径KDP晶体金刚石车床(图1)的加工能力,进行了多次试验。加工的φ150mm小于0.52的铝镜面已达到与俄罗斯机床同等水平。但同时进行的一轮KDP晶体车削试验,结果并不满意,其单次透射波前畸变近4λ,原因可能是KDP晶体的装夹存在问题,导致加工效率不佳。而且加工中还产生周期性波纹,可能是由于机床压缩空气供给系统的周期性启动,造成周期性的压力波动。  相似文献   
5.
用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3(0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率,给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带结构与折射率的关系,计算了样品的Sellmeier光学系数:对no,E0=5.50eV,λ0=0.226μm,S0=1.004×1014m-2,Ed=28.10eV;对ne,E0=5.57eV,λ0=0.223μm,S0=1.017×1014m-2,Ed=28.10eV.ABO3型钙钛矿材料中,BO6八面体基元决定了晶体的能带结构,对折射率产生重要影响.  相似文献   
6.
非晶金刚石膜的性能及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
非品金刚石薄膜具有超高硬度等一系列优异的特殊性能,为工程界孜孜追求的材料表面镀膜。用百纳科技公司研发制造的过滤阴极真空电弧离子镀膜机镀制的非晶金刚石薄膜,SP^3金刚石结构量≥80%,硬度高,膜/基结合力高,摩擦系数小,耐磨损,耐腐蚀,透光率高,在电子,机械,光学,生物医学上有广泛应用前景。我们已在视窗玻璃,丝锥,模具,硬质合金刀头等产品上成功应用。  相似文献   
7.
8.
通过研究(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMNT)单晶在不同方向、不同组分下高场致应变的特性,确定了〈001〉取向PMNT单晶(29%≤x≤31%)为制作层叠式驱动器的最佳组分范围,这组分的单晶具有高场致应变、低滞后而且性能较稳定的特点.研究结果表明,在保证应变曲线的线性和低滞后的前提下,将近-2kV/cm的负电场能够运用于〈001〉方向的PMNT晶体上. 40层(每片晶片尺寸为7mm×7mm×0.7mm)PMNT层叠式驱动器在电场 -1.5-10kV/cm的驱动下,可以获得38.1μm的纵向位移,负载40N的重量后,位移量减为34μm.  相似文献   
9.
 用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石(DLC)薄膜,采用离子注入法掺氮,并对掺氮DLC薄膜紫外(UV)辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明:随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加,位于2 930cm-1附近的SP 3C-H吸收峰明显变小,而位于1 580cm-1附近的SP2C-H吸收峰则明显增强,薄膜的电阻率明显呈下降趋势;随UV辐照时间的增加,位于1 078cm-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm-1附近的Si-C键数量明显增加。即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性。  相似文献   
10.
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