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1.
光强一定时饱和光电流随入射光频率的变化关系辨析 总被引:2,自引:0,他引:2
对光电效应实验中饱和光电流随入射光频率变化关系的几种谬误进行了辨析,给出了光强一定时饱和光电流随入射光频率变化的正确规律并作了解释。 相似文献
2.
3.
讨论了所建立的激光扫描微区光电流图谱测试系统的若干问题及其应用研究实例。实验结果表明:该测试技术是现场研究半导体及具有半导体性质的金属氧化物微区光电化学性质的有力工具,它可以在微米水平上提供许多有关半导体/电解质溶液界面的结构和电子性质方面的重要信息。 相似文献
4.
FuYouLI XiaoRongZOU ChunHuiHUANG 《中国化学快报》2003,14(6):641-644
A novel dye dimer,bis-{[1-(N-hexadecyl-4-pyridinium)-2-(4-N,N-dimethylaminopheyl)] ethenyl} methane diiodide (C16BP) was synthesized,and the photoelectrochemistry of the dye Langmuir-Blodgett monolayer modified ITO electrode was investigated.For comparison,the photoelectrochemistry of the monomer (E)-N-hexadexyl-4-[2-(4-N,N-dimethylaminophenyl) ethenyl] pyridinium iodide (C16P) was also measured.The results show that the photocurrent generation property of the dimer is enhanced.The photocurrent generation quantum yield is 0.38% for C16BP,while that for C16P is 0.23%. 相似文献
5.
6.
为了改善染料敏化太阳电池内电子的传输复合过程, 研究者尝试不同方法制备或改性TiO2薄膜. 对TiO2薄膜进行后处理, 在其表面引入一层小颗粒层, 是一种有效的方法并被广泛研究. 通过对TiO2薄膜不同时间的电沉积表面修饰, 细致研究了表面修饰后染料敏化太阳电池微观性能的变化机制. 采用阳极氧化法在TiCl3水溶液中对TiO2薄膜进行电沉积后处理, 将溶液pH值调至2.2, 装置的反应速率由恒电位仪控制. 不同沉积时间电池带边移动以及电子传输复合的动力学过程, 借助强度调制光电流谱(IMPS)/强度调制光电压谱(IMVS)和电化学阻抗谱(EIS)等探测技术表征. 研究表明, 电沉积在TiO2薄膜表面引入了大量浅能级陷阱态, 以致电势较高时电容随沉积时间延长增加明显. 不同时间的电沉积表面修饰在TiO2薄膜表面形成了新的小颗粒层并改善了TiO2颗粒间接触, 在改善电子注入及收集过程的同时, 也有效抑制了内部电子复合. IMPS/IMVS结果表明, 电沉积对动力学过程改善的效果受光强影响明显, 弱光下作用更为突出. 此外, 电池开路电压主要受带边移动及内部复合变化影响, 随沉积时间延长, 表面电荷的增多使TiO2薄膜带边逐渐正移, 有效改善了光电流却限制了开路电压的提升. 在适合的电沉积时间下, 电沉积表面修饰可以同时改善光电流和光电压. 相似文献
7.
8.
作为一类重要的光电极材料,α-Fe2O3在太阳能转化方面有着潜在的应用前景.但是,光生电子空穴对的再复合导致α-Fe2O3的光电量子产率很低.为了抑制光生电子空穴对的再复合,提高α-Fe2O3的光电量子产率,采用Spin-coating方法在透明导电玻璃FTO(SnO2:F)衬底上制备了SrTiO3/α-Fe2O3异质结薄膜光电极,并对该光电极进行了XRD、SEM、紫外-可见透射光谱的表征.在三电极光电化学测试系统中对薄膜的光电流-电压特性、入射光子电流转化效率(Incident photon to current efficiency,IPCE)对波长的依赖性进行了表征.在相同的Xe灯照射条件下,SrTiO3/α-Fe2O3异质结光电极的光电流及IPCE值大于单一的SrTiO3、α-Fe2O3各自的光电流及IPCE值,这与理论预测的结论一致. 相似文献
9.
稀土元素在我国有丰富的贮量.近年来,稀土元素在各种新科技领域中得到不断的开发和利用.各类稀土功能材料在发光和光通信领域中正展现巨大的应用潜力[1].稀土磁光薄膜材料是优良的记录介质;稀土Er由于其特殊的电子结构,已用来制造掺铒光纤激光器和光纤放大器[2];掺铒硅还可制造发光谱线单一的发光器件[3],这为实现人们所期待的硅基光电集成提供了有益途径.此外,基于对掺铒硅荧光发射衰减时间的分析,可用于制造温度传感器[4].因此,稀土在共价半导体材料如Si、GaAs中的行为研究日益受到重视.但这些工作主要… 相似文献
10.