自组装和共缩聚法制备磺酸基修饰的硅柱磷酸锆

以十六胺插层磷酸锆为原料, 利用十二烷基二甲基苄基氯化铵为导向模板剂, 通过正硅酸乙酯和巯丙基三甲氧基硅烷的层间共水解缩聚, 并结合双氧水对巯丙基的熏蒸氧化, 制备了磺酸基修饰的硅柱磷酸锆材料。通过XRD、SEM、N2吸附-脱附和FT-IR等方法对柱撑材料进行了结构表征。结果表明, 通过调变预撑剂和模板剂中的碳链长度可以优化材料的柱撑结构和孔结构, 磺酸基修饰的材料孔径分布在2.17 nm左右, 比表面积可达163 m²·g^-1, 且保留有规整有序的柱撑磷酸锆层板结构。磺酸基的修饰则成功调变了材料的酸位性质, Brönsted酸量最高可达2.71 mmol·g^-1, 总酸量可达5.20 mmol·g^-1。利用柠檬酸与正丁醇的酯化反应为探针反应, 由于磺酸基修饰的硅柱磷酸锆材料具有独特的空间反应效应和较为丰富的Brönsted酸位, 酯化反应转化率最高可达95.74%。     

Easily Processable,Highly Transparent and Conducting Thiol-Functionalized Reduced Graphene Oxides Langmuir-Blodgett Films

We report synthesis and fabrication of highly thionated reduced graphene oxide and its Langmuir-Blodgett (LB) film without an LB trough. As the synthesized product, mercapto reduced graphene oxide (mRGO) contains high thiol content estimated from XPS, corresponding to a surface coverage of 1.3 SH/nm². The mRGO LB film shows two electronic transport properties, following Efros-Shklovskii variable-range hopping (VRH) and Mott VRH at low and high temperature, respectively. Optical and band gap of the LB film was estimated from Tauc plot and semi-logarithmic-scale plot of sheet resistance versus temperature to be 0.6 and 0.1 eV, respectively. Additionally, the sheet resistance of the mRGO LB film depends on the quantity of the thiol functional group with the same transmittance at 550 nm (500 kΩ for mRGO, 1.3 MΩ for tRGO with 92% transmittance).     

自组装和共缩聚法制备磺酸基修饰的硅柱磷酸锆

以十六胺插层磷酸锆为原料,利用十二烷基二甲基苄基氯化铵为导向模板剂,通过正硅酸乙酯和巯丙基三甲氧基硅烷的层间共水解缩聚,并结合双氧水对巯丙基的熏蒸氧化,制备了磺酸基修饰的硅柱磷酸锆材料。通过XRD、SEM、N2吸附-脱附和FT-IR等方法对柱撑材料进行了结构表征。结果表明,通过调变预撑剂和模板剂中的碳链长度可以优化材料的柱撑结构和孔结构,磺酸基修饰的材料孔径分布在2.17 nm左右,比表面积可达163 m2·g-1,且保留有规整有序的柱撑磷酸锆层板结构。磺酸基的修饰则成功调变了材料的酸位性质,Br觟nsted酸量最高可达2.71 mmol·g-1,总酸量可达5.20 mmol·g-1。利用柠檬酸与正丁醇的酯化反应为探针反应,由于磺酸基修饰的硅柱磷酸锆材料具有独特的空间反应效应和较为丰富的Br觟nsted酸位,酯化反应转化率最高可达95.74%。