Elektrolytische Thoriumabscheidung für alpha-spektrometrische Analysen

Die Eignung organischer Elektrolyselösungen für die elektrolytische Abscheidung von Thorium wurde geprüft. Äthanol, Äthanol-Aceton-Mischung und Aceton gestatten innerhalb von ca. 10 Minuten Elektrolysedauer die vollständige Abscheidung von Thorium in einem weiten Massebereich. Der Einfluß von Wasseranteilen auf die Abscheidegeschwindigkeit wurde untersucht. Die Auswahtl der geeignetsten Elektrolyselösung erfolgte anhand der Reproduzierbarkeil der Homogenitätt abgeschiedener Schichten. Anwendungsbeispiele weisen sowohl auf die Eignung der Verfahren hin als auch auf Probleme, wie sie bei der Herstellung von Meßproben mit alpha-aktiven Substanzen geringer spezifischer Aktivität für die alpha-spetrometrische Auswertung zu berücksichtigen sind.     

医用钛表面TiO_2纳米管/HA复合膜层于Tyrode’s生理溶液中电化学腐蚀行为

钛及其合金具有良好的力学性能和生物相容性,被广泛地用作医用人工植入体.然而,钛植入体在人体内的生理环境中必然发生腐蚀,金属离子的溶出和积累可产生毒副作用.本文应用电化学方法对医用钛金属作表面改性,提高其生物活性,应用Tafel极化曲线和电化学阻抗(EIS)研究其耐蚀性能及腐蚀电化学行为.结果表明,在钛基TiO2纳米管阵列膜层上沉积构筑HA涂层之后,由于表面阻挡层的强化,TiO2涂层在Tyrode’s生理溶液中的耐蚀性有所提高.     

电沉积二氧化钛功能薄膜的制备与组织转变研究

采用直流电沉积方法,在石墨板上成功制备了半导体二氧化钛功能薄膜前驱体,分析讨论了电沉积过程中实验参数对TiO2前驱体成膜的影响,获得了制备二氧化钛膜最佳工艺参数.TiO2前驱体沉积速率随着电流密度的增大而增加,为了保证薄膜质量,将电流密度控制在5～45mA/cm2之间;溶液浓度对沉积速率也有影响,当溶液中TiCl4:H2O2=1:2时沉积速率最大;最佳沉积温度为5-10℃.运用差热分析、XRD相结构分析和SEM等手段,研究了该前驱体到锐钛矿相(anatase)和金红石相(rutile)二氧化钛的组织相转变过程,300℃热处理得到锐钛矿相的二氧化钛,650℃热处理后出现金红石相.     

PS-b-PEO模板法制备Pt纳米线

以PS-b-PEO纳米孔膜为基体电极,采用电沉积技术制备了Pt纳米线,用扫描电化学显微镜(SECM)、扫描电镜(SEM)和X-射线能谱(EDS)分析法表征了基体电极和Pt纳米线。利用循环伏安法考察了Pt纳米线的电化学性能。实验结果表明,Pt纳米线对甲酸氧化表现出优异的电催化活性。此外,Pt纳米线具有良好的稳定性和重现性,可望用于实际样品中甲酸的测定。     

Surface and interface analysis of electrochemically synthesized ferromagnetic/semiconducting Ni/GaAs(001) thin film

Thin film of ferromagnetic (FM) metal (Ni) on a semiconducting substrate (GaAs), i.e. Ni/GaAs(001), has been synthesized using electrochemical method. The structural, chemical and magnetic properties at the surface and interface have been investigated using X‐ray diffraction (XRD)/grazing incidence X‐ray reflectivity (GIXRR), X‐ray photoelectron spectroscopy (XPS) and magneto‐optical Kerr effect (MOKE) techniques, respectively. A crystalline peak observed at 44.4º in the XRD pattern, corresponding to Ni(111) Bragg peak, confirms the monocrystalline nature of the film. The atomic force microscopy image shows small‐sized spherical crystallites uniformly deposited over the substrate. The fitted GIXRR pattern confirms a smooth Ni/GaAs(001) film surface with roughness of less than ~5 ± 0.4 Å. The micro‐structural parameters, such as film thickness, surface and interface roughness, and electron density, are found to be ~230 ± 5 Å, ~4.5 ± 1 Å, ~0.5 ± 0.02 Å and ~6.38 ± 0.5 (Å^?2), respectively. The chemical nature of the film at the surface and interface, investigated using a depth profile XPS technique, shows no diffusion of metallic Ga and As into Ni layer or vice versa, confirming a sharp FM/semiconducting Ni/GaAs(001) interface. The magnetization behavior investigated using MOKE technique at room temperature shows a soft FM nature of the film with coercivity of ~75 Oe at the film surface. However, coercivity was found to be ~35 Oe at the interface. In addition, the saturation magnetization is also found to decrease at the interface with decreasing Ni layer thickness. The observed magnetization behavior is correlated with structural and chemical changes that occur at the interface of Ni/GaAs(001) film. Copyright © 2013 John Wiley & Sons, Ltd.     

电沉积Cu-In-Ga金属预制层的硒硫化研究

以H₂S气体作为硫源、固态蒸发硒蒸气作为硒源对电沉积Cu-In-Ga金属预制层进行硒硫化处理. 通过电沉积Cu-In-Ga金属预制层在不同衬底温度下硒化、硫化和硒硫化的对比实验,发现CuInS₂相和CuIn（S,Se）₂相优先生成,抑制了CuInSe₂相的生成,促使InSe相薄膜向内部扩散,减弱了薄膜两相分离现象. 采用先硒化后硒硫化处理工艺优化了Cu（In,Ga）（S,Se）₂薄膜的制备工艺,在250 ℃预硒化得到了开路电压为570 mV的太阳电池,在更高的预硒化温度得到了较大短路电流的太阳电池,最终优化得到了效率达到10.4%的电池器件. 关键词： 电化学沉积 Cu-In-Ga金属预制层 硒硫化处理 2薄膜')" href="#">Cu(In,Ga)(S,Se)₂薄膜