[(enH)2(enH2)Sn2Se6]的合成、结构及性能研究

采用溶剂热法,以K2Se:SnCl2·2H2O∶Se∶en=1∶1∶4∶48的摩尔比,在150 ℃下反应5d,生成黄色透明柱状晶体[(enH2)2Sn2Se6·en]。该晶体属于三斜晶系 ,空间群为Pl^-,晶胞参数,a=0.8659(2)nm,b=1.1055(2)nm,c=0.66360(10)nm, a=104.44(3)°,β=110.93(3)°,γ=79.74(3)°,V=0.57198(19)nm^3,Z=1.[ (enH2)Sn2Se6]晶体由质子化的乙二胺正离子（enH)^+,(enH2)^2+和二聚硒代锡根 负离子（Sn2Se6)^4-堆积而成。在AxSn2Se6系列化合物,正离子A的大小对晶体结 构的类型产生重要的影响。研究表明,此晶体具有1.76eV的能隙（Eg）,是个半导 体,对太阳辐射具有选择吸收特性,在温度低于180℃时是稳定的。     

单硼五元杂环配体(C~4BH~5)过渡金属夹心高聚物的理论研究

用一维自洽场晶体轨道法探讨了过渡金属夹心高聚物[(C~4BH~5)M]~n(M=Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的一维链结构和电子结构.计算表明,堆积单元(C~4BH~5)M中价电子数为奇数的高聚物结构会发生Peierls畸变,而价电子数为偶数的将取规则结构,由能带结构得到, [(C~4BH~5)Mn]~n的前线能带出现交叉,可能会发生进一步的结构畸变,但也有可能保持非满状态,成为异体.[(C~4BH~5)Ni]~n可能是不稳定的.其余三个高聚物为半导体或绝缘体,这系列高聚物电荷载流子通路主要依赖于金属d轨道重叠.     

[Co(C~5H~5)~2]~n.[M(dmit)~2](M=Ni,Pd;n=0,1,2)型配合物的合成及表征

二茂金属[M'(C~5H~5)~2]^1^+的盐与(NBu~4)~n[M(dmit)~2](M=Ni, Pd; N=1,2)反应, 当M'=Fe, Ni; n=1时, 分别得到了导电配合物[Ni(dmit)~2]和[Pd(dmit)~2]; 当M'=Co, n=1,2时, 分别得到的是电荷几乎不转移的4个盐[Co(C~5H~5)~2]~n[Ni(dmit)~2]和[Co(C~5H~5)~2]~n[Pd(dmit)~2]。用ESCA、Raman谱及循环伏安图讨论了上述化合物形成时的电荷转移量。尽管[M(dmit)~2]的室温电导率相当大, 但其电导率随温度的变化曲线表明它们属于半导体。EHCO能带计算给出[Ni(dmit)~2]的能隙0.112eV, 与实测的电导活化能相当接近。     

交流电方法用于单晶n-CdTe光电极性能的研究

本文应用循环伏安法研究了n型碲化镉单晶电极的光致腐蚀行为; 并运用PAR M368电化学阻抗系统测得了此电极在不同电位下的交流复阻抗图, 估算了此电极表面态密度及其它参数。实验结果表明, n-CdTe/液体结具有Sehottky结的特征, 此电极的Fermi能级可能有"钉扎"现象。     

长链香豆素LB膜对n-Si/Ni液结上的光致电荷转移的影响

本文研究了由硬脂酸香豆素制得的LB膜对n-Si/Ni电极性能的修饰作用.该LB膜沉积方式是Z型的,成膜之后吸收蓝移(由343nm移至325nm).在60mW·cm^-2溴钨灯光照下,n-Si/Ni/3LB/Fe(CN) /Pt电池的光电转换效率增大了一倍,稳定性亦有明显改善.交流阻抗测量表明,光照使n-Si/Ni/3LB电极的电解电阻大大减小,实验结果表明,硬脂酸香豆素LB膜对n-Si/Ni电极上的光致电荷传递过程的修饰作用是良好的.     

n^+-Si在HF溶液中的阳极极化行为和阻抗谱

n^+-Si在0.25～1.0%HF溶液中无光照和光照下的伏安曲线均明显地分为三段:在低极化下呈线性关系, 对应于硅的阳极溶解, 形成多孔硅层(PSL); 在中间电位区, 电极部分表面为硅氧化物所覆盖, 阳极溶解和非均匀电抛光过程同时进行; 在高极化区, 全部表面为硅氧化物所覆盖, 发生均匀的电抛光过程。在上述三个区域中由交流阻抗测得的特征电容环和电感应环的变化, 揭示了由单一阳极溶解逐渐转变为均匀抛光过程的一些细节, 定性地说明了n^+-Si上进行的竞争性反应的速率是随电位而改变, 并受光照影响。     

溶胶－凝胶法制备镶嵌在SiO2玻璃中的InAs纳米晶

以As2O3,InCl3·4H2O和正硅酸乙酯为原料,通过水解、缩聚制备了xIn2O3-xAs2O3-100SiO2(x=0.5～7.5)凝胶,在氧气中加热到450℃对凝胶热处理使其转化成凝胶玻璃,再在200～500℃与氢气反应,结果在SiO2凝胶玻璃中形成了立方相InAs,利用XRD测试了InAs纳米颗粒的大小、发现随着反应温度的升高及掺杂量的增加,InAs纳米颗粒粒径从6增大到29nm,电子衍射表明凝胶玻璃中的InAs纳米颗粒为多晶结构。     

n-InP半导体电极平带电位的研究

用微分电容法及强光照开路电位法研究了电解质溶液的pH、氧化还原对、交流电频率、n-InP晶面及表面处理对其液结界面平带电位的影响,并测定了n-InP半导体电极的一些参数.     

锑对在硫酸溶液中形成的阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜的半导体性质的影响Ⅲ. 交流阻抗法研究阳极Sb~2O~3膜

应用交流阻抗方法研究锑在0.005mol.dm^-^3SO~4+0.5mol.dm^-^3Na~2So~4溶液(30℃)中以0.9V(vs.Hg/Hg~2SO~4/0.005mol.dm^3SO~4)生长3h的阳极Sb~2O~3膜的半导体性质.从Mott-schottky曲线可知.此膜 为n型半导体.平带电位为-0.34v(vs.Hg/Hg~2SO~4/0.005mol.dm^-^3SO~4).施主密度为4.0×19^1^9cm^-^3.讨论了锑增加铅锑合金极PbⅡ氧化物膜施主密度的原因.     

3d过渡金属的2-羰基丙酸(4-吡啶甲酰基)腙配合物的合成, 表征及导电性质研究

本文制备了2-羰基丙酸(4-吡啶甲酸基)腙(H2PPFH)的六种过渡金属配合物和Mn(II)配合物的单晶。通过元素分析, 红外和紫外光谱, 差热和热重分析对各配合物的结构和性质进行了表征。配合物的通式为M(PPFH).n[H2O(II)=Mn, Fe, Co,Ni, Cu, Zn, n=0～2]。并通过X射线单晶衍射仪对Mn(II)配合物的晶体结构进行了测定。分析表明该晶体属单斜晶系。空间群为P21/n, Z=4, a=1.1252, b=0.9828,c=1.3708nm, β=66.03°, R=0.28。通过配合物的导电性能的测试, 发现它们都具有半导电性质。