镍、铅、LB膜对n-Si光电极的修饰

本文研究了金属(镍、铅)与Langmuir-Blodgett膜对n-Si电极光电化学行为的影响, 观察到镍与铅能增强该电极的能量转换效率与稳定性。测定和讨论了八种有机物得的LB膜对n-Si/Ni电极的修饰作用, 最佳的长链香豆素LB膜使其效率倍增。还研究了具有MIS器件结构的Si/LB/Al电极的光电化学行为, 发现它具有良好的光电效应。     

n^+-Si在HF溶液中的阳极极化行为和阻抗谱

n^+-Si在0.25～1.0%HF溶液中无光照和光照下的伏安曲线均明显地分为三段:在低极化下呈线性关系, 对应于硅的阳极溶解, 形成多孔硅层(PSL); 在中间电位区, 电极部分表面为硅氧化物所覆盖, 阳极溶解和非均匀电抛光过程同时进行; 在高极化区, 全部表面为硅氧化物所覆盖, 发生均匀的电抛光过程。在上述三个区域中由交流阻抗测得的特征电容环和电感应环的变化, 揭示了由单一阳极溶解逐渐转变为均匀抛光过程的一些细节, 定性地说明了n^+-Si上进行的竞争性反应的速率是随电位而改变, 并受光照影响。     

AgInSe~2薄膜的电沉积及其上的光电化学振荡行为

采用电沉积方法得到了AgInSe~2薄膜, 并研究了它的一些光电性质。发现在其上阴极还原H~2O~2时会产生周期性的电化学振荡现象, 且该振荡行为有效地受外界斩光频率控制, 这将可能发展成为光电传感器。     

铜电极在含苯并三唑的硼砂-硼酸缓冲溶液中的光电化学行为研究

用光电化学方法研究了铜电极在含苯并三唑(BTA)的硼砂-硼酸缓冲溶液中的光电化学行为。BTA能使铜电极的光响应由p-型转变为n-型。产生光响应的原因是铜电极表面的Cu2O膜。当BTA存在时由于BTA的作用致使电极表面Cu2O膜中共存着p-型和n-型区域, 电位正移和频率增加导致电极显示n-型光响应。     

镍铂修饰n型硅电极光电解析氧

本文以n/n^+-Si半导体为基底, 通过碱溶液刻蚀处理和Ni/Pt双层金属膜表面修饰后作为光阳极, 用于1.0mol·dm^-^3KOH溶液中光助电解水析氧。在恒电势1.0V(相对HgO/Hg电极)和90mW·cm^-^2光照射下, 最佳电极的析氧电流达到65.2mA·cm^-^2, 稳定性实验表明, 连续光照不超过200小时, 光电极具有良好的抗腐蚀性。对电极表面进行了X-光电子能谱(ESCA)分析。     

五甲川菁染料敏化SnO~2纳米结构多孔膜电极的光电化学研究

研究了五甲川菁敏化SnO~2纳米结构电极的光电化学行为。结合循环伏安曲线图及五甲川菁的光吸收阈值,初步确定五甲川菁染料电子基态和激发态能级位置。结果表明,五甲川菁染料电子激发态能级位置能与SnO~2纳米粒子导带边位置相匹配,因而使用该染料敏化可以显著地提高SnO~2纳米结构电极的光电流,使SnO~2纳米结构电极吸收波长红移至可见光区和近红外区,光电转换效率得到明显改善,IPCE值(单色光的转换效率)最高可达45.7%。     

多晶Hg~1-xCd~xTe薄膜电极/多梳氧化还原电对溶液的界面现象研究

测量了系列(1-x)值的电沉积多晶Hg~1-xCd~xTe薄膜电极在多硫氧化还原电对溶液中的交流阻抗和光电流光谱, 据此确定出不同(1-x)值时的平带宽度。当(1-x)值增大时, 平带电位正移, 禁带宽度变小, 导带位置下降(负移), 价带位置基本保持不变。系列Hg~1-xCd~xTe薄膜电极在多硫溶液中的开路光电压比由平带电位推算出的极限开路光电压低, 因此存在着提高实际开路光电压的潜力。