基于校园网的实验管理系统的设计

主要讨论了应用实验室管理系统的必要性,并从用户需求分析、系统总体设计、功能模块的设计等方面对B/S实验室管理系统的开发进行了详细的阐述。     

BEPCII直线加速器相控系统设计研究

为了补偿由于各种因素引起的微波相位漂移,BEPCII直线加速器需要建立微波相位反馈控制系统.能量最大法将用来确定每台功率源的最佳相位.沿直线加速器速调管长廊铺设相位稳定同轴线提供相位参考.现在已经完成了关键部件,如PAD单元、IfA 单元的开发.搭建了相控最小系统对系统进行了验证.     

Fe(Ⅲ)-磺基水杨酸-甲基紫-聚乙烯醇体系光度法测定痕量铁

提出了在聚乙烯醇存在下,Fe(Ⅲ)-磺基水杨酸-甲基紫三元配合物光度法测定Fe(Ⅲ)的方法.该法灵敏度高(ε=3.44×105L@mol-1@cm-1),选择性及精密度均好,用于水中痕量铁的测定,结果满意.     

Microwave-promoted Palladium Catalyzed Suzuki Cross-coupling Reaction in WaterI

A simple, rapid and environmental friendly method for the synthesis of biaryl compounds under microwave irradiation is reported.     

甲醇燃料车尾气净化催化剂的研究Ⅱ.甲醇深度氧化用银催化剂上吸附物种的原位红外研究

利用原位红外技术研究了ＣＨ３ＯＨ，ＣＯ，Ｏ２等在５％Ａｇ／γＡｌ２Ｏ３上的吸附情况及ＣＨ３ＯＨ和Ｏ２共吸附时表面物种的变化．结果表明，在表面纯净的Ａｇ／γＡｌ２Ｏ３催化剂上，甲醇的解离吸附仅发生在γＡｌ２Ｏ３上；表面预吸附氧后，可大大增强Ａｇ对ＣＨ３ＯＨ的解离吸附，当吸附的［ＣＨ３Ｏ］与［Ｏ］在Ａｇ／γＡｌ２Ｏ３上相互作用时，出现吸附态甲醛、甲二氧基、甲酸根等中间物种．Ｏ２在Ａｇ／γＡｌ２Ｏ３上存在非解离吸附（Ｏ－２），在真空中较易脱附，但在氧气氛下可于１００℃时稳定存在．     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。     

精密垫片精冲工艺有限元分析与模具设计

精密垫片零件，如图1所示，零件材料为1Cr18Ni9Ti，强度大（σb=650MPa），有一定塑性。从零件尺寸精度看，φ4mm外圆为IT7级精度，φ4mm外圆与φ2mm内孔有很高的同轴度要求，冲裁断面与零件两端面有垂直度要求，普通冲压不能达到零件精度：从工序的角度看，有冲孔和落料工序，剪切面粗糙度Ra≤3．2μm，属于光洁冲裁范畴；另外，技术条件中要求零件两大面不得有任何划伤，且光滑平整。总体上看，该零件的冲压加工性不好，难度较大，对模具的设计、选材、制造要求都较高。     

Theoretical Studies on the Si（001）-SiO2 Interface Structure

1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S…