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金属的电抛光应用越来越广泛.但电抛光机理至今仍不很清楚.我们曾用 XPS 和AES 研究了不同槽电压下电抛光铜表面的组成和物种,确认其表面均为纯铜,不存在含磷固体膜.本文用 XPS 研究电抛光液中1-羟基乙叉-1,1-膦酸(HEDP)浓度、抛光液的 pH 及其接受体(H_3PO_4,HEDP 和 HEDP H_3PO_4)变化时铜的表面组成,并进一步证明,电抛光时形成的粘液膜是水溶性膜,铜表面在不同抛光条件下并不形成难溶的含磷固体膜.通过电子能谱对固化后粘液膜组成和深度分布的研究确定,粘液膜可能是铜的多核聚合混合配体配合物,其组成可近似地表示为[Cu_4(PO_4)(HEDP)]_n. 相似文献
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合成了新的大环配体12-十八烷基-1, 4, 7, 10-四氮杂环十三烷-11, 13-二酮(odt), 研究了odt的液膜传输Cu^2+的动力学。结果表明传输过程为串联一级反应,k~1=8.1×10^3h^-1, K~2=5.5×10^-2h^-1。载体odt与Cu^2+生成配合物的反应速率比配合物离解反应速率小, 前者为速率控制步骤。传输过程无阴离子参加, 但受溶液酸度控制, 根据酸度的不同, 可将Cu^2+选择性地由低浓度向高浓度传输, 这与细胞对金属离子的主动传输类似。 相似文献
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导电高聚物修饰纳米尺度TiO~2多孔膜电极的光电化学研究 总被引:20,自引:1,他引:20
用光电化学方法研究了用导电高聚物修饰的纳米晶TiO~2多孔膜电极在不含氧化还原对和含不同氧化还原对体系电解质溶液中的光电转换过程。TiO~2/导电高聚物多孔膜电极为双层n型半导体结构,内层TiO~2多孔膜的禁带宽度为3.26eV,外层聚吡咯(PPy)膜的禁带宽度为2.23eV,而聚苯胺(PAn)膜的禁带宽度为2.88eV。用导电高聚物修饰半导体电极能使其在可见光区的光吸收增加,光电流增强,且起始波长红移至>600nm,使宽禁带半导体电极的光电转换效率得到明显改善。 相似文献
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用直接在5×10^-^5mol.dm^-^3稀土(III)氯化物水溶液的液面上铺展稀土(III)三硬脂酸盐(简称LnSt~3)的方法,在疏水光学玻璃片上连续沉积了44层以上的含稀土(III)(La、Nd、Sm、Eu、Tb)硬脂酸盐LB膜,转移比为0.7-0.8。低角度X射线衍射(2θ=0.3-14ⅲ)结果表明,膜的结构为高度有序的层状结构,相邻稀土离子面的间距为4.7-4.8nm。X射线光电子能谱(XPS)证实了五种膜中分别含有La、Nd、Sm、Eu和Tb元素。此外,还对LnSt~3LB膜进行了红外光谱考察,表明在亚相中加入一定浓度的稀土离子能有效地抑止界面上LnSt~3的水解作用,为制备含稀土(III)离子的优质LB膜提供了依据。 相似文献
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本文通过对不同条件下的Co(W~2O~7)~6^1^0^-和CuW~1~2O~4~0^6^-掺杂聚吡咯膜ESR谱线的分析并以相同条件下NO~3^-掺杂聚吡咯膜作为参照, 表明杂聚阴离子不仅起着中和电性的作用, 而且与聚吡咯分子链相作用形成某种加合物, 它影响聚吡咯的电结构, 这种加合物在过正或过负的电位下均不稳定。首次发现在CuW~1~2O~4~0^6^-掺杂的干态聚吡咯膜具有Dysonian线型, 表明膜中其它电结构的存在。 相似文献