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1.
参考了HClO4脱水重量法测定Si及草酸盐重量法测定Gd的方法,建立了钆硅锗系合金中主成分Si和Gd联合测定的方法,并详细考查了共存元素及杂质元素对测定的影响。合金共存元素Ge在HCl的存在下,绝大部分可以GeCl4的形式被蒸发,达到与被测元素分离的目的。熔样过程引入的杂质元素Ni可与被测元素Gd,用氨水沉淀分离,残留Ni不足以影响Gd的测定。方法回收率在98.5%以上,Si和Gd的测量相对标准偏差分别在2.6%~3.0%和0.4%~0.5%。  相似文献   
2.
建立了ICP-MS法测定磁致冷材料-钆硅锗系合金中Mo、 Mn、 Al、 V、 Ni、 Cu、 Ga、 Fe八种痕量杂质元素的方法, 并对ICP-MS工作参数及条件进行了优化. 方法的检出限为0.1~0.6 ng/mL, 测定下限为0.5~3 ng/mL, 回收率在95.5%~109%, 相对标准偏差(n=11)为1.3%~7.6%. 采用该方法对磁致冷材料-钆硅锗系合金实际样品进行了分析, 结果表明精密度和准确度均满足痕量分析的要求.  相似文献   
3.
GdSiGe合金是最优良的室温磁致冷材料之一。介绍了改善GdsiGe合金磁热性能的各种途径,涉及该材料的合金化、熔炼、凝固、热处理、纳米化、复合化等方面的工作研究。  相似文献   
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