首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  免费   0篇
  国内免费   2篇
化学   2篇
  1995年   1篇
  1985年   1篇
排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
罗兴华  方景礼 《化学学报》1985,43(3):278-281
金属的电抛光应用越来越广泛.但电抛光机理至今仍不很清楚.我们曾用 XPS 和AES 研究了不同槽电压下电抛光铜表面的组成和物种,确认其表面均为纯铜,不存在含磷固体膜.本文用 XPS 研究电抛光液中1-羟基乙叉-1,1-膦酸(HEDP)浓度、抛光液的 pH 及其接受体(H_3PO_4,HEDP 和 HEDP H_3PO_4)变化时铜的表面组成,并进一步证明,电抛光时形成的粘液膜是水溶性膜,铜表面在不同抛光条件下并不形成难溶的含磷固体膜.通过电子能谱对固化后粘液膜组成和深度分布的研究确定,粘液膜可能是铜的多核聚合混合配体配合物,其组成可近似地表示为[Cu_4(PO_4)(HEDP)]_n.  相似文献   
2.
n^+-Si在0.25~1.0%HF溶液中无光照和光照下的伏安曲线均明显地分为三段:在低极化下呈线性关系, 对应于硅的阳极溶解, 形成多孔硅层(PSL); 在中间电位区, 电极部分表面为硅氧化物所覆盖, 阳极溶解和非均匀电抛光过程同时进行; 在高极化区, 全部表面为硅氧化物所覆盖, 发生均匀的电抛光过程。在上述三个区域中由交流阻抗测得的特征电容环和电感应环的变化, 揭示了由单一阳极溶解逐渐转变为均匀抛光过程的一些细节, 定性地说明了n^+-Si上进行的竞争性反应的速率是随电位而改变, 并受光照影响。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号