磁绝缘传输线振荡器中次级电子倍增效应的高模分析

 以磁绝缘传输线振荡器(MILO)中次级电子倍增效应物理图像为基础,对MILO中发生次级电子倍增效应的各阶共振模进行了计算和分析。结果表明：与基阶共振模相比,高阶共振模发生次级电子倍增效应的敏感区域要小得多,对次级电子倍增效应起主要作用的是基阶共振模;减小或抑制次级电子倍增效应,主要应考虑控制基阶共振模的电子倍增作用。     

利用喇曼光谱测量氧碘激光器氧发生器的O2（a1Δ）产率

 利用自发喇曼成像技术实时监测氧碘激光器O₂(¹Δ)发生器流场组分，得到了发生器气流中O₂(¹Δ)和 O₂(X³Σ)以及N₂的自发喇曼散射光谱，由此得到了不同条件下的O₂(¹Δ)产率，测量误差不超过8%。     

UTA模型下金M带谱的理论计算

 用不可分辩跃迁阵模型(UTA model)计算了金M带0.43nm~0.62nm范围含有的三十五个跃迁阵的特征参数。利用高斯分布线型,对每个离子谱依据UTA的总强度,对整个M带依据离子权重进行叠加,得到了在总体上与实验相一致的结果。     

筛网盘对聚α-甲基苯乙烯微球弹跳性能的影响

 介绍了利用筛网设计制作出的一种新型的反弹盘,并用于聚α-甲基苯乙烯（PAMS）微球的弹跳实验。分析了筛网盘与玻璃盘之间的差别和由此带来的对PAMS微球弹跳性能影响。通过实验分别研究了筛网盘相关的参数对微球表面粗糙度的影响。结果表明：采用筛网盘与玻璃盘相比,PAMS微球的弹跳性能的改善非常明显;筛网盘的使用较好地解决了在无等离子体的镀膜环境下（如热蒸发的方法制备PAMS微球表面聚酰亚胺涂层）PAMS微球的弹跳问题;为降低微球表面粗糙度,反弹盘应采用间歇振动的模式。     

动力学研究AlN/α-Al2Ｏ3（0001）薄膜生长初期的吸附与扩散

采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,计算了300—800℃下AlN吸附过程与系统能量、动力学轨迹以及扩散系数.研究表明,吸附过程由物理吸附、化学吸附和表面稳定态三个阶段组成,在吸附成键过程中,温度越高,粒子平均表面扩散能力增强.N原子的扩散系数大于Al原子的扩散系数,尤其是在物理吸附阶段.在较高温度条件下（大于700℃）,N的解吸附作用明显增强,不利于AlN的稳定吸附生长,500—700℃之间的温度有利于AlN在α-Al₂Ｏ₃（0001）表面的稳定吸附生 关键词： 2Ｏ₃（0001）表面')" href="#">α-Al₂Ｏ₃（0001）表面 扩散 吸附生长 从头计算分子动力学     

Dy含量对红色长余辉发光材料Sr3Al2Ｏ6:Eu2＋,Dy3＋性能的影响

采用溶胶凝胶法制备了Sr₃Al₂Ｏ₆:Eu^2＋,Dy^3＋红色长余辉发光材料,利用X射线衍射仪对材料的物相进行了分析,结果表明,1200℃下制备的样品的物相为Sr₃Al₂Ｏ₆,少量的Eu和Dy掺杂没有影响样品的相组成.采用荧光分光光度计、照度计测定了样品的发光特性.结果表明Sr₃Al₂Ｏ关键词： 红色长余辉 3Al₂Ｏ₆')" href="#">Sr₃Al₂Ｏ₆ 溶胶凝胶法     

［（SrTiO3）n/（SrTi0.8Nb0.2Ｏ3）m］20/LaAlO3超晶格的制备及其激光感生热电电压效应

采用脉冲激光沉积（PLD）镀膜技术在倾斜10°的LaAlO₃（100）单晶衬底上制备了（SrTiO₃）_n/（SrTi0.8Nb_0．2Ｏ₃）_m系列超晶格.在超晶格薄膜的XRD图谱中清楚地观察到周期调制的卫星峰结构.从卫星峰的分布计算了超周期,进而得到了在生长SrTiO₃和SrTi_0．8Nb_{0．2< 关键词： 3}）_n/（SrTi_0．8Nb_0．2Ｏ₃）_m］20/LAO（100）超晶格')" href="#">［（SrTiO₃）_n/（SrTi_0．8Nb_0．2Ｏ₃）_m］20/LAO（100）超晶格 激光感生热电电压 各项异性Seebeck系数 原子层热电堆