用有限元法计算光学玻璃退火温度的分布

本文首次把求解温度场的有限元法用于计算玻璃退火时的温度分布,提出了在微机上计算第一类光学不均匀性的方案,并解决了计算问题。     

Microstructure and Texture Changes of Tungsten-Rhenium coated on Carbon Fiber Composite during Annealing

Since tungsten was chose as the divertor tiles of 1TER, the investigation of tungsten and its coating as plasma facing material (PFM) have been paid more attentions by fusion scientists all over the world. Recent years, tungsten coatings have been successfully     

退火温度对钙钛矿型氧化物La0.68Pb0.32FeO3的结构及其乙醇气敏性能的影响

采用sol—gel法，分别在不同温度下退火2h，制得一系列纳米氧化物La0.68Pb0．32FeO3粉体，并测定了该材料对乙醇的气敏性能。随退火温度的升高，所得样品逐渐向单一钙钛矿结构转化。应用Scherrer公式对退火温度分别为200，400，600，800，1000℃的样品粒径进行了计算，样品粒径依次为11．5，13．6，16．4，20．0，25．3nm。这说明，随着退火温度的升高，样品粒径逐渐增大。对乙醇气敏性能的测定结果表明，随退火温度的升高，材料对乙醇的最佳灵敏度先升高、又降低，退火温度为800℃的样品最佳灵敏度达到51．7。     

聚乙烯单晶的退火效应

用混合晶红外光谱法和ＳＡＸＳ、ＤＳＣ和ＬＡＭ等方法研究了聚乙烯单晶在７５℃、９０℃和１０５℃退火前后的结构变化，发现在９０℃以下和１０５℃以上退火，遵循不同的退火机制     

尼龙1010骤冷退火样品的晶体结构

尼龙1010的晶体结构属三斜晶系.作者最近导出了X射线衍射法(WAXD)测定尼龙1010结晶度的公式,进而考查了等温结晶时结晶温度T_C对结晶度X_C、晶粒尺寸L_(100)和氢键面相对衍射强度R的影响.发现X_C和L_(100)均随T_C升高而增大,达196℃后又减小;而R与T_C的关系则相反,呈线性降低.结晶速率快有利于分子链在垂直于氢键面的(100)晶面生长,但R值却降低了.本文利用WAXD考查了尼龙1010不同骤冷退火条件样品的晶体结构.     

冻干保护剂溶液低温退火特性的研究

利用差示扫描量热仪(DSC)研究了10%叔丁醇/10%蔗糖/水溶液的冻结特性, 退火温度及退火时间, 分析了溶液的退火行为. 实验结果表明, 溶液降温时, 蔗糖的存在阻碍了叔丁醇析出, 最大冻结浓缩溶液玻璃化转变温度Tg′由－32.5 ℃降低到－42.0 ℃, 升温时在－30 ℃叔丁醇发生反玻璃化. 在反玻璃化峰附近的温度进行退火可使叔丁醇充分析出, Tg′由－42.0 ℃上升到－34.9 ℃. 所需的退火时间与退火温度有关, 退火温度越接近Tg′, 所需的退火时间越长. 在－37 ℃时, 退火20 min可完全消除反玻璃化.     

非晶聚对苯二甲酸乙二醇酯薄片在低温退火过程中的声发射现象

Acoustic emission during sub-Tg annealing fort amorphous polyethylene terephthalate (PET) sheet quenched from melt has been observed. The mechanical properties, texture and glass transition of annealed specimens have been studied. It is shown that some of PET chains change from non-equilibrium state to equilibrium state during sub-Tg annealing, which leads to stress concentration in specimen. When the level of internal stress approaches to the limit, the acoustic waves are emitted due to sudden releasing of stress and the micro-defects are for-med. This is one of the important reasons,the causes the loss of mechanical properties to an-nealed specimens.     

ZnO薄膜的椭偏和DLTS特性

用射频磁控溅射在硅衬底上淀积氧化锌薄膜,并对样品分别作氮气、空气、氧气等不同条件下退火处理。为研究退火气氛对ZnO/Si薄膜中缺陷以及折射率的影响,由深能级瞬态谱(DLTS)以及椭偏测量方法进行了检测。椭偏测量结果表明相对原始生长的样品,在氮气和空气退火使ZnO薄膜折射率下降,但氧气中退火使折射率升高。我们对折射率的这种变化机理进行了解释。DLTS测量得到一个与Zni**相关的深能级中心E1存在,氧气气氛退火可以消除E1能级。在氮气退火情况下Zn*i*的存在对抑制VO引起的薄膜折射率下降有利。     

电子束蒸发制备ZnO薄膜及其晶体结构和电学性质

采用电子束蒸发法制备了ZnO薄膜。研究了退火温度及衬底对薄膜的结晶状况以及电学性质的影响．X射线衍射测试结果表明。相同蒸发条件下制备的ZnO薄膜，硅(100)衬底上薄膜晶粒尺寸为73nm。结晶情况明显好于陶瓷和玻璃衬底上的薄膜．退火之后，各种衬底上薄膜的结晶情况相对未退火时都有明显好转；400℃退火时。薄膜逐渐结晶；600℃退火时，ZnO薄膜体现良好的择优生长的趋势，晶粒长大，晶化程度提高，大部分晶粒发生了织构．在400℃退火后。掺入Al2O3的薄膜和未掺杂的ZnO薄膜的电阻率下降了一个多数量级，但掺入MgO的薄膜电阻率变大。这是由于MgO掺杂起到了补偿作用，掺入MgO有可能实现ZnO薄膜的P型掺杂．     

ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响

研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时，从X射线衍射谱（XRD）和光致发光谱（PL）中可见，ZnSe(111)膜的晶体质量有较大的变化。变温的PL谱表明，Si衬底上生长的具有ZnO缓冲层的ZnSe膜的近带边发射峰起源于自由激子发射。