具有自由基对特性分子的密度泛函理论研究

用密度泛函理论在B3LYP／6－311＋＋G＊＊水平下研究了9种具有自由基对特性分子，从结构上看，它们由两个游离自由基耦合形成，耦合后原自由基的键长、键角以及振动频率数值改变不大，但这些分子中不再具有未成对电子以及由此产生的其他性质，新形成的共价键的键长一般较长，易于断裂并导致分子分解，初步研究了苯分子硝化反应的初始过程，当进攻试剂为NO2^ 时，反应生成了C6H6－NO2自由基对，当进攻试剂不为NO2^ 时，反应生成了游离自由基。     

含环有机分子^13C—H耦合常数与键角的关系

研究了环状烃＾１３Ｃ－Ｈ耦合常数Ｊｃｈ一民键角扭曲和∑△θ实际键角扭曲和∑△β，Ｒ２ＣＨ２类环状烃的Ｃ－Ｃ－Ｃ键角θＣＣＣ及Ｃ－Ｈ键Ｓ成分的关系，提供了利用∑△θ，∑△β，θＣＣＣ或Ｓ％（Ｃ－Ｈ）等结构参数预测＾１３Ｃ－Ｈ耦合常数的一种新的方法，平均偏差小于２．０Ｈｚ。     

1-茚基二硅烷及二硅氧烷的合成及结构

通过茚基负离子分别与-氯五甲基二硅烷, 1,2-二氯四甲基二硅烷及1,3-二氯四甲基二硅氧烷作用, 制得三种1-茚基二硅烷及二硅氧烷类化合物。元素分析,UV, IR, 1H NMR及MS表征了它们的结构, 讨论了它们的谱学性质与分子结构间的关系, 晶体学数据a=0.7462(2), b=1.4439(3), c=0.9789(2)nm; β=108.12(2)°,V=1.0023nm3, Z=2, Dc=1.14g.cm^-3。偏差因子R为0.047。     

α，α′－二乙酰基二苄硫基缩烯酮的晶体结构

用Ｘ射线衍射法测定了标题化合物Ｃ_（２０）Ｇ_（２０）Ｏ_２Ｓ_２的晶体结构。该晶体属单斜晶体，空间群为Ｃ_２／Ｃ，晶胞参数α＝１．１５０４（２）ｎｍ，ｂ＝１．１７８１（２）ｎｍ，ｃ＝１．４４４３（３）ｎｍ，β＝１０１．１４（３）°；Ｖ＝１．９２０６（７）ｎｍ~３，ｚ＝４，Ｄ_ｘ＝１．２３３ｍｇ／ｍｍ~３，Ｆ（０００）＝７５２．最终偏离因子Ｒ＝０．０４３６．化合物中碳氧双键键长为０．１１９３ｎｍ，碳碳双键（Ｃ（１）－Ｃ（２））键长为０．１３３８ｎｍ，Ｓ－Ｃ_（ｓｐ）~２键键长为０．１７６２ｎｍ。     

对两道有机高考试题答案的质疑

结合两道有机高考试题,对其命题和答案提出质疑,展开讨论。     

硅、磷、硫和氯原子3d轨道参与成键对键角的影响

硅、磷、硫和氯原子３ｄ轨道参与成键对键角的影响王文亮（延安大学化学系陕西７１６０００）第三周期ｐ区主族元素Ｓｉ、Ｐ、Ｓ和Ｃｌ原子３ｄ轨道能否参与成键的问题已进行过较多的研究和讨论［１－５］，一般认为在适合的环境条件下３ｄ轨道是可以参加成键的，并对无机...     

高硅沸石骨架结构及其稳定性的模拟计算(Ⅱ)

应用晶格能极小化技术计算了二十一种高硅沸石的骨架晶格能，计算结果与二氧化硅致密相比较，发现这些高硅沸石彼此间的晶格能相差很小（＜３７ｋＪ／ｍｏｌ），与α石英相差３０～６７ｋＪ／ｍｏｌ．分析这些高硅沸石的ＸＲＤ数据发现，在它们的结构中包含很短的ＳｉＯ键长（０１４３１ｎｍ），很长的ＳｉＯ键长（０１８６２ｎｍ），ＳｉＯＯ键角分布范围大（７７５１～１３１８８°），ＯＳｉＳｉ键角平均在１５３°左右并且具有更大的分布范围（１２０～１８０°）．量子化学ＰＭ３计算结果表明，ＯＳｉＳｉ键角由１１４°变化至１８０°而引起的能量改变很小（仅１７４３ｋＪ／ｍｏｌ），当ＯＳｉＳｉ键角为１３５４°时能量最低．     

在双螺旋结构的发现中物理学的作用与贡献

简述了薛定谔对基因物质的预言和德尔布吕克等人关于DNA是遗传物质的确定;介绍了DNA结构的X射线衍射分析,其中包括在X射线晶体学中的布拉格方程,螺旋结构的傅里叶变换,威尔金斯对双螺旋结构的实验验证;介绍了分子模型方法,其中包括键角与键长,杂化轨道理论,碳四面体型轨道的量子力学计算,在分子的空间构型中氢键的作用.     

分子中原子空间位置关系的探讨

分析了中学阶段分子中原子共线、共面问题的思维基础,以具体的示例说明数学工具尤其是立体几何知识在探究此类问题中的典型应用,总结了处理此类问题的一般程序.     

物理截断与电子局域函数结合法研究非晶态结构中的原子成键

本文将常用的键长物理截断方法与电子局域函数方法相结合,用于分析共价系统的非晶态结构,得到了更合理的原子成键信息,提高了非晶态结构模型分析的可靠性.以相变存储材料GeTe合金为例,通过采用上述方法详细研究了GeTe合金非晶态中原子间成键及结构信息,确定了其合理的成键物理截断长度为3.05?,电子局域函数阈值为0.63.研究结果显示,当电子局域函数的数值由0.58逐渐增大至0.63时,结构中所截断的化学键大部分是强度较弱的非同质键(即Ge—Te键),而强度较强的Ge—Ge键的数量几乎不变.对Ge原子配位数和其键角分布等结构信息的分析表明,Ge原子以3配位和4配位为主,其中3配位的Ge原子主要是以缺陷八面体形式存在,而4配位的Ge原子则主要以四面体的形式存在.此外,在本研究工作中所建立的确定成键物理截断长度及电子局域函数阈值的方法也可以应用于其他具有共价键性质的非晶态材料研究.