记忆效应之管见

记忆效应之管见王怀亮山西师大化学系０４１００４临汾一、前言记忆效应［１］（ｍｅｍｏｒｙｅｆｆｅｃｔ）是Ｊ．Ａ．Ｂｅｒｓｏｎ在１９６８年提出的，其含义是在一多步的碳正离子重排反应中，用构型上不相同的反应原料，经过首次异裂产生在结构上相同的碳正离子中间体...     

金属卟啉催化条件下有机化合物与CO2的电羧化反应（Ⅴ）

研究了碘化四－（４－三甲胺基苯基）卟啉钴和ＶＢ１２催化ＣＯ２与卤代丁烷的电合成，该反庆在－１．５Ｖ（ｕｓ，ＳＣＥ）即可发生，ＶＢ１２催化产物为预期的戊酸丁酯，而ＣｏＴＰＰ催化产物为ＣＯ２直接还原的草酸二丁酯，并未发现ＣＯ２与卤代烷的反应产物，初步探讨了产生不同产物的原因。     

KrF准分子激光激发掺锗光纤折射率扰动的非线性过程

本文采用了一种简单的功率监测法,观察了KrF准分子激光对掺锗光纤折射率影响的非线性过程。观察到子纤芯折射率扰动过程中非稳定现象、饱和现象和折射率扰动的非线性。     

钯作基体改进剂FIA－HG－GFAAS法测定锗及其机理研究

采用钯，钯－镁作基体改进剂，ＦＩＡ－ＨＧ－ＧＦＡＡＳ法成功地测定了锗。灵敏度、精密度和分析速度都得到很大的提高。峰值吸收的特征质量８．０ｐｇ，检出限１０．９ｐｇ，相对标准偏差０．３４％，同时探讨了基体改进剂钯的稳定作用机理及锗在石墨管中的原子化机理。     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

纳米技术新秀:单原子晶体管

 美国康奈尔大学的一个科学家小组研制成由一个钴原子构成的晶体管,钴原子包裹有一层复杂有机化合物,直径仅为10纳米的黄金导线被放置在硅片上,并用这种有机化合物覆盖住。然后在导线上钻一个直径约为1纳米的小孔,制成电源电极和电流电极,再将带有钴原子的有机化合物放置在小孔上,用二氧化硅作绝缘体。哈佛大学另一组科学家也用类似方法研制成单原子晶体管,他们是在黄金电极上放置钒分子,而用氧化铝作绝缘体。单原子或单分子晶体管研究表明,只有在加上一定电压时电流才会通过这类晶体管。此外,将它们放置在磁场中时,通过电流中的电子数量会增加。