Diode-Pumped Self-Q-Switched Cr,Nd：YAG Laser with High Average Output Power

A diode end-pumped self-Q-switched Cr,Nd:YAG laser was established with pulse duration in the range of 8-10ns. The maximum average output power was 4.4 W and the slope efficiency was 27% using an output coupler of R=70%. At pumping power of 17.4 W the laser produces high-quality pulses at 1064 nm in a TEMoo-mode.     

镅污染手套箱系统的去污技术

考虑到手套箱系统的主要污染核素为^239Pu，^241Am，^3H和U，其中^239Pu，^241Am属α长寿命极毒核素，很容易产生放射性气溶胶。在手套箱系统退役过程中，手套箱系统的拆除解体前后均应采用行之有效的方法进行去污，最大限度的减少放射性物质对环境的污染。文中根据可剥离膜去污技术、电解去污技术、导电高分子聚合物导电机理以及超声波去污技术，针对镅污染手套箱拆下部件的污染情况和材质特点，采取单独使用和组合使用的方法进行相应的去污技术研究。     

物理污染

 随着科学技术的发展,人们的生活水平越来越高,可人们的生活环境越来越不利于人身的健康。机器振动要发出声波,电器设备要发射电磁波,各种热源释放着热。诸如此类的物理运动充满着空间,包围着人群,构成了人类的物理环境,一旦这些物理运动的强度超过人的忍耐限度,就形成了物理污染。电磁污染电的发明给人类带来了巨大的利益,随着电子、电器设备的迅速发展,功率越来越高,他们发出的电子辐射越来越强,过量的电辐射可导致人体内白血球总数上升。     

铬（Ⅵ）—DBC—HNO3催化动力学光度法测定痕量铬（Ⅵ）

在硝酸介质中，痕量铬(Ⅵ)能灵敏的催化氧化DBC褪色。研究了反应的最佳条件，建立了测定痕量铬(Ⅵ)的新方法。检出限可达10^-9g／ml，测定范围为0．12--0．7μgCrC(Ⅵ)／10ml，方法简便、灵敏、快速、准确。用于测定水中的痕量铬(Ⅵ)，获得了满意的结果。     

含三正辛胺微胶囊对六价铬的富集

本文将对六价铬有效的萃取剂ＴＯＡ（三正辛胺）微胶囊化，制成填充柱型的酸性体系六价铬的富集分离装置。实验结果表明，微胶囊填充柱中每毫升ＴＯＡ对六价铬的最大萃取容量为１５８．０ｇ／ｍＬ，为纯ＴＯＡ液相萃取的４．９倍。微胶囊经碱／水洗涤后，可再生使用。     

微波消解ICP-AES法同时测定花岗石中铜、镉、铬和砷

本文采用微波消解和ICP－AES法，同时测定花岗石样品的铅、镉、铬、砷4有害元素，检出限分别为0．0008、0．0007、0．0018、0．0012μg.mL^-1,回收率为93．4％－102．5％，RSD为1．3％－3．6％，该法准确、快速、简便，结果令人满意。     

养殖池塘沉积物的重金属分布及污染特征

浙江省淅西北地区淡水养殖池塘沉积物重金属调查研究表明，养殖池塘沉积物中7种重金属元素分布不均衡，差异也较大，除Hg和Cr元素外，其余重金属元素已大大超过土壤本底值．虽然其实测含量都未超出国家规定的标准值范围，但沉积物中重金属元素对养殖水环境、养殖品种存在的潜在污染与危害值得关注．污染指数评价显示，养殖池塘沉积物中主要污染物质为Cu和Cr，而Hg、Pb污染程度相对较轻．     

镍-酸性铬兰K络合物吸附波

用微分脉冲溶出伏安法研究了镍(11)与酸性铬兰K(ACBK)所生成的络合物在悬汞电极上的电化学特性及电化学反应机理，发现电极反应为镍与酸性铬兰K所生成的络合物吸附在电极表面后发生的不可逆还原。在HCl-硼砂介质中(pH8．67)，络合物在-316mV处有一吸附还原峰，其峰电流与镍浓度在0．001～0．010μ/mL范围内呈现良好的线性关系，其最低检出浓度为0．0005μg／mL。     

谈谈电磁污染

由于无线电广播、电视、通讯、及微波技术的迅猛普及,射频设备的功率成倍提高,地面上的电磁辐射已大幅度增加,电磁波已成为一种新型污染.1 电磁污染的特点 电磁污染是继水质污染、大气污染、噪声污染之后的第四大污染,前三种污染可看、可闻、可听,而电磁波的污染则是看不见、摸不着、闻不到,却又是无处不在的污染.     

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染