ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

也论平面透射光栅状态的调节

前言前段时间,贵刊先后发表了两篇有关平面透射光栅状态调节方面的文章。其中86年第5期,刘慎秋等同志的文章的主要意思是:由于有些复制光栅的两表面间并不平行,因而造成在光栅面上光线的入射角将不为零。而这“几分”     

增透膜的原理及常见问题的解答

增透膜也称减反膜，即能够减少反射光，增加透射光的薄膜．笔者在此简单分析一下光学镜头中所用的增透膜．     

分析型反射电子显微镜和表面科学：实验技术和发展

本文综述了反射电子显微术(REM)和反射电子能量损失谱(REELS)在表面科学中的应用。较详细地给出了用这些方法研究表面原子结构、化学成份和电子态的基本实验和理论,指出了发展这一学科对表面研究的重要性。     

物质结构研究方法及实验的演变

 物质构成之谜是自古至今人们一直在探索的重要课题。到了近代,这个课题取得了很大的成果,这些成果的取得过程是一个曲折复杂的艰难探索过程,这些成果的取得是得益于科学知识的不断积累,更重要的是得益于实验方法的改进和实验手段的突破。对物质结构研究方法及实验的演变过程作一个回顾是非常有益的。     

平面波通过强度不相等的两个δ势垒问题的求解

对平面波通过强度不相等的两个δ势垒（阱）的定态薛定谔方程作了详细的理论计算，得到了此问题的解．讨论了解的物理含义，分析了入射波产生共振透射的条件及其亚稳态的描述方法     

化学键联铁-钴四核羰基簇结构的EXAFS研究

本文以EXAFS方法研究了化学键联的四核铁-钴羰基簇[Co_(?)Fe(CO)_(12)]~-的表面结构。结果显示担载后Co—Co键长缩短0.04(?),Co—C和Co—Fe键长分别增长0.03和0.08(?),说明FeCo_3的四面体簇骼在担载后更大地偏离开理想的正四面体。     

PVC功能膜固相透射光度法测定钯

提出了用PVC功能膜固相透射吸光光度法测定钯的方法。研究发现 ,在pH 3～ 4HOAc NaOAc介质中 ,钯与均匀分布在PVC功能膜上的硫代米氏酮形成疏水性的配合物 ,在自制的固相透射分光光度附件上测定。在 5 2 0nm波长处具有最大吸收 ,钯浓度在 0～ 7.5 μg 10ml范围内 ,A与C有良好的线性关系 ,检出限为 0 .0 15 μg·ml-1,标准偏差为 0 .78%。方法简便、快速、试剂用量少 ,可直接用于矿样中钯的测定     

电子显微技术应用于生物纳米材料表征与测试的研究进展

该文简述了电子显微技术的发展历程,并介绍了现代电子显微镜的新功能。针对生物纳米材料理化性能与功能应用的特殊性,结合研究实例,重点阐述运用电子显微结构表征与原位分析测试技术指导构建新颖纳米结构、揭示材料与细胞/组织相互作用并发挥功能的机制。并在此基础上,展望了电子显微技术在生物纳米材料研究领域的发展方向(大尺寸图像拼接、三维重构、动态原位实时成像)。     

PbO~2纳米粉体的固相合成及其对MnO~2电极材料的改性作用

利用固相氧化反应制备了PbO~2纳米粉体样品，借助XRD，TEM以及循环伏安测试对其性质进行了表征。同时，对反应条件的选择进行了讨论。将所得样品用于改性MnO~2电极，恒流放电测试结果表明，样品掺杂量在1.25%～5.00%间对MnO~2有良好的改性效果，可使改性MnO~2的放电容量得到极大提高。循环伏安测试结果表明，铅的掺入改变了MnO~2的放电机理。在循环扫描过程中，掺杂物与MnO~2均不再以单纯氧化物的形式存在，而是形成了一系列Pb(X)(X=0,Ⅱ)Mn(Y)(Y=Ⅳ，Ⅲ，Ⅱ)复合物的共氧化与共还原，抑制了电化学惰性物质Mn~3O~4的生成和积累，从而有望改善MnO~2的可充性能。纳米PbO~2与常粒径PbO~2与常粒径PbO~2(标记为S)对MnO~2的改性机理类似。但前者对MnO~2的改性效果明显优于后者，当恒流放电至-1.0V时，其放电容量较S样改性MnO~2的放电容量平均高出约30%。