铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战

铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点，其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始，超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发，分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法，总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验；最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状，分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式，提出了解决这些问题的总方向. 关键词： 电迁移 铝互连 微结构     

Lifetime Measurements for Electric-Dipole △n=0 Transitions in the Beryllium-Like Sulfur

We have measured lifetimes of △n=0 allowed transitions in beryllium-like sulfur using beam foil spectroscopic techniques. The measured values, derived from analysis of arbitrarily normalized decay curves, are presented and compared with theoretical calculations and previous measurements. Accurate probabilities have been determined by the well-known relationship.     

配合物氧化还原反应中的电子迁移轨道

研究了配合物氧化还原反应中的过渡态配合物结构 ,电子迁移轨道及反应速率。     

一类Narcissistic反应过渡态的优化

我们对一类narcissistic 反应XCH_2-CH_2Y→[过渡态TS]→YCH_2—CH_2X (1)进行了研究,结果表明其过渡态能在对称性限制下由能量极小化方法较容易地给出. 采用IMSPAK分子轨道从头算程序,在IBM VM/370计算机系统上用STO—3G极小基组以平衡几何构型的能量梯度优化方法,在对称性限制下对反应(1)的几种反应体系的过渡态构型进行了优化,其结果列于表1.     

以“图形”为背景的数列综合题分类导析

以“图形”为背景的数列综合题,是典型的具有时代气息的信息迁移题,备受各级各类考试命题者的青睐,频频出现在各级各类考试卷中,常处于“压轴题”的地位,充当“把关题”的重要角色. 这类问题极富思考性、挑战性和趣味性,学生求解起来颇感困难,考试时经常弃而不管,令人惋惜! 下面采撷五道典型例题予以导析,旨在探索题型规律,揭示解题方法.一、以“装置图”为背景的数列综合题例 1　(郑州市高考模拟题 )如图 1所示是一个计算装置示意图,J1、J2 是数据入口,C是计算结果的出口. 计算过程是由J1、J2 分别输入自然数m和n,经过计算后得自然数…     

板模型中具广义边界条件的迁移算子的谱分析

在LP(1 P<∞)空间研究了板模型中一类带广义边界条件具各向异性、连续能量、均匀介质迁移算子的谱,证明了该迁移算子生成C0半群的D yson—Ph illips展开式的二阶余项在LP(1相似文献   

含P507的微胶囊萃取水相中稀土的迁移行为

分别用乙基纤维素和海藻酸钙作为膜材，将Ｐ５０６微胶囊化。将这两种含萃取剂的胶囊用于萃取Ｌａ＾３＋，Ｎｄ＾３＋和Ｌｕ＾３＋，可以将这些离子富集于微胶囊内。由于固体膜对芯材固定化和对离子的阻障作用，使萃取的传质过程发生了变化。以渗透系数来比较三种离子的传质速度，改变原料液的ｐＨ，可使离子的渗透系数改变，从而增大离子间渗透系数的差值。     

等离子体中的迁移系数

从等离子体动力学方程出发,采用玻尔兹曼碰撞项,在粒子分布函数偏离麦克斯韦分布甚小的情况下,作三级矩近似得到了等离子体迁移方程组。迁移方程组中忽略时间微分项后,得出了电子-离子等离子体的张量形式迁移系数,以及与磁场方向成平行(∥)、垂直(⊥)和交叉方向的迁移系数。导出的结果和文献[1]采用朗道碰撞项得出的结果进行了比较。结果表明,迁移系数和等离子体参数的依赖关系是一致的,但对磁场B和离子电荷Z_i值取定时,个别迁移系数要差一倍。此外,导出的迁移系数形式比文献[1]的要简单些。     

三甲基膦和环氧乙烷的加成产物裂解反应机理的MNDO法研究

文中用ＭＮＤＯ方法研究了三甲基膦和环氧乙烷加成产物裂解反应机理