极化子导电到能带导电的转变

采用交流法测量大功率商用钛酸钡(BT)陶瓷加热器的电阻和加热功率随温度的变化关系.结果显示,BT陶瓷的电导特性在80℃附近出现了明显的转变,从低温时的极化子跳跃导电转变为高温时的能带导电,此时,电阻出现极小值,而加热功率出现极大值.     

基片温度和退火对DdIn2O4薄膜光学性质和载流子浓度的影响

对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜，研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱，光学常数和载流子浓度的影响。结果表明：提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度，退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高，薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移，而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中，这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。     

Dirac Optical Potential of p-^14Be and Pronounced “Long-Tail” Shape

The Dirac optical potential for p-^14 Be elastic scattering is evaluated by the relativistic impulse approximation. Each of the real part and the imaginary part of the potential shows a pronounced “long tail” for the proton elastic scattering from halo nucleus ^14Be compared with the potentials for proton scattering from its adjacent nuclei ^12C and ^16O, which do not have halo structures.This kind of “long tail” phenomenon suggests another signature for halo nuclei.     

浮栅ROM器件辐射效应机理分析

分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理，合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和⁶⁰Co γ辐射效应都是总剂量效应 . 关键词： FLASH ROM EEPROM 中子 质子 60Co γ')" href="#">⁶⁰Co γ 总剂量效应     

半导体带电粒子探测器的研制及其在空间物理中的应用

阐述了空间辐射环境监测的意义,描述了半导体带电粒子探测器的研制及由其组成的望远镜系统在空间物理中的应用,并给出了用此探测器在卫星上进行地球辐射环境监测、太阳质子事件和地磁暴探测的部分结果.     

磁拱的运动学无力场

本文首先推导了完全导电流体内运动学磁拱无力场的基本方程，接着考虑了静态解和不定常相似性解．     

14β-甲磺酰氧基对映-贝壳杉二萜重排反应

本文研究了一类具有15-C与16-C单键的14β-甲磺酰氧基对映-贝壳杉烷(烯)(6,7和8)在Zn-EtOH体系中的重排反应, 它们均能重排成6, 7, 5, 5并环系统的化合物3, 12, 13a和13b。8重排时生成一个8-OEt化合物, 为这类化合物重排时经过阳离子中间体提供了一个证据。     

质子和中子有“远亲”了

美国能源部费米国家加速器实验室国际费米碰撞探测器（CDF）合作组的科学家23日说，他们利用Tevatron对撞机，成功地发现了两种罕见的粒子．经过鉴定，这两种粒子是最常见的质子和中子的“远亲”．     

New Levels in ^118Pd Observed in the β Decay of Very Neutron-Rich ^118Rh Isotope

We investigate the β decay of very neutron-rich ^118Rh isotope using on-line mass-separated sources which are produced by applying 25 MeV proton induced symmetric fission of natural uranium at the IGISOL facility. The β-γ and γ-γ coincidence spectroscopy is employed to establish the level scheme of daughter nucleus ^118Pd. Five low-lying new levels are identified for the first time with tentative spin and parity assignments based on the even-mass Pd systematics.     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加