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1.
在氢化丁苯共聚物13C-NMR谱脂肪碳部分谱带归属的基础上,根据各谱带的主要来源,推导出六个二单元浓度的计算公式。计算出二单元、一单元的相对含量,各结构单元的数均序列长度、嵌段含量和其它结构参数。加氢前后的1H-和13C-NMR谱的组成计算结果基本一致。初步探讨了作为粘度指数改进剂的氢化丁苯共聚物微观结构与性能的关系,为合成提供了依据。 相似文献
2.
3.
The hydrogenation properties of Zr samples with and without an Ni overlayer under various plasma conditions were investigated by means of non-Rutherford backscattering and elastic recoil detection analysis.The theoretical maximum hydrogen capacity,66.7 at%,could be achieved at a hydrogen absolute pressure of-2Pa and a substrate temperature of-393K for a plasma irradiation of only 10min;this was significantly greater than that for gas hydrogenation under the same hydrogen pressure and substrate temperature.It was also found that the C and O contamination on the sample surface strongly influences the hydrogenation,and that the maximum equilibrium hydrogen content drops dramatically with the increasing total contamination.In addition,the influence of the Ni overlayer on the plasma hydrogenation is discussed. 相似文献
4.
5.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
6.
7.
已提出的各种可能机理有束流引起的化学反应,高电流密度使表面局部区域内原子加热导致的局部原子的蒸发、熔化、再结晶等,有些结构可能是由于污染物或针尖材料在表面上的沉淀而产生的.当样品表面有覆层或处于特定的气体或液体氛围下时,用STM仍可在其上产生各种细微结构,其主要方法可分为两类,其一是电子束光刻,其二是电子束辅助淀积和刻蚀,以下分别进行讨论。 相似文献
8.
在测量微安表内阻的众多方法中,替代法是最简单的方法。本文全面分析了影响测量结果不确定度的因素,求出了实验测量的最佳条件,计算了普通仪器组合下测量结果的相对不确定度。 相似文献
9.
为了让临床医生更方便地使用M eta分析方法,我们根据四格表数据特点,提出了一种基于固定效应模型的简明方法。该方法简单而容易操作,且统计结果与原方法完全等价,在循证医学领域很有推广价值。 相似文献
10.
本文研究并揭示了L_(2~a)(2~(2~a-1))型正交表行(列)间的递推规律,提出了一种泛函梯度数值计算的新方法——正交试验法,该方法在计算速度和精度上优于直接梯度法;在通用性及节省内存方面优于伴随算子法。 相似文献