基于LED的多色温多星等单星模拟器

针对星模拟器与星敏感器观星的色温不匹配对星敏感器光信号定标精度产生的影响,设计了一种基于LED的多色温多星等单星模拟器,采用该系统模拟特定色温的星光用于星敏感器光信号定标,大幅降低了色温非匹配带来的定标误差。从理论上分析了色温非匹配影响星敏感器光信号的定标精度的机理;根据设计指标确定了星模拟器的设计方案,主要解决了光源的选型、多色温多星等单星模拟器驱动和控制系统、色温星等匹配算法、多色温多星等单星模拟器软件设计四项关键技术问题;对多色温多星等单星模拟器进行了标定和性能测试:0等星4000K和3等星7000 K星光的光谱匹配误差分别为4.87%和7.83%,星等等级分别为0.03和2.93;光源稳定后,多色温多星等单星模拟器的平行光管出口Φ100 mm口径内的照度非均匀度为6.5%,均满足设计指标。     

黄斑星天牛病原菌的初步研究

从甘肃兰州郊区采集的黄斑星天牛(Anoplophora nobilis)僵硬虫尸上分离得到的2株单胞菌株Ftn-1和Ftn-12,形态学和生物学观察表明两个菌株在PSA培养基上培养(24～25℃)96h的菌落直径均为3.2～3.7cm,基物表层的颜色为灰白色,基物为肉色;在米饭培养基上成咖啡色,在Bilai's培养基上气生菌丝稀少,白色.Ftn-1产生大小两种分生孢子,大孢子为32.5～50um,小孢子为7.5～15um×3.75um,小型分生孢子聚成假头状着生在细长的分生孢子梗上,大型分生孢子着生在短粗的瓶梗上,粘胞团为米黄色,厚垣孢子顶生或侧生;Ftn-12也产生大小两种分生孢子,大孢子为50～60um,小孢子10～17.5um×3.75～5um,,粘胞团墨绿色,厚垣孢子顶生或侧生.根据镰胞菌鉴定方法,初步鉴定Ftn-1为茄病镰胞(Fusarium sonalj),Ftn-12为茄病镰胞蓝色变种(Fusarium sonali var.coerleum).     

反向驱动的异质结有机薄膜电致发光

成功制备了结构为ITO／PDDOPV／PPQ／Al的异质结聚合物发光二极管。该器件在正反向偏压下均可发光。在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV，但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射。蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加，当反向直流电压分别为22V、24V、26V、28V时，其电致发光光谱中PPQ与PDDOPV的峰高比IPPQ／IPDDOPV分别为1．092、1．329、1．605、2．046。换句话说，该器件的发光颜色是压控可调的，这对实现彩色显示是极为有利的。分析了在反向偏压下的发光机理以及IPPQ／IPDDOPV受电压控制的原因。     

两种蓝色有机电致发光材料

重点研究以两种蓝色OEL材料蒽类衍生物JBEM和联苯乙烯衍生物DPVBi分别作基质，以perylene作掺杂剂的器件的电致发光性能，特别研究了它稳定性，在这度和效率方面，两种器件并没有很大差别，然而在稳定性方面却有很大差别，蒽类衍生物JBEM的器件在100cd/m^2初始亮度下，半亮度寿命可达1035h，而DPVBi的器件在同样条件下，半亮度寿命为255h。通过分析两种器件的能级图，认为稳定性的差别可能源于两种蓝光材料本身的热稳定性不同，JBEM优于DPVBi，是一种很有前途的蓝色发光材料。     

采用热处理方法提高MEH-PPV单层聚合物有机发光二极管发光性能的研究

对以MEH－PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管（OLED）器件在最佳条件下进行真空热处理，并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比，最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2．0V，半寿命提高了12．7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体，从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现，另一方面，热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力，提高电子注入水平。     

光纤陀螺信号处理中SLD驱动电路设计

光纤陀螺用光源要求输出功率高、相干性低、稳定性好，超辐射发光二极管（SLD）是能满足这些要求的理想光源，目前国内光纤陀螺用的光源基本上主要选择超辐射发光二极管（SLD），从工程实际应用出发，介绍了超辐射发光二极管（SLD）驱动电路设计，以此来提高光纤陀螺性能。     

GaAs／AlGaAs发光二极管列阵场分布特性的电光测量

应用一种新颖的无损伤测量技术－连续波电光检测法（ＣＷＥＯＰ）对ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单异质结发光管列阵电场分布进行了扫描测量。实验结果反映了器件内电流注入的方向和载流子扩展情况；通过比较各单元电场分布，反映器件发光均匀性。文中详细介绍了测量原理、实验装置和实验结果及讨论，最后用计算机对电场分布作了模拟计算并与实验结果进行了对照。     

自集成透镜InGaAsP／InPDHLED及其离子束铣技术

本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。