某些新的连位仲、叔二胺的合成

本文用Katritzky,A.R.等人的方法,由苯骈三氮唑、乙二醛、芳香胺或脂肪仲胺的双Mannich缩合产物1,2-二(1-苯骈三氮唑基)-N,N,N',N'-四取代乙二胺和1,7,7-三甲基二环[2,2,1]庚烷-2-基氯化镁反应,生成对称仲、叔连二胺。产率较高。     

α, α'-二胺基二苄基硒醚的合成

本文以苯骈三氮唑、胺和苯甲基醛为原料,发现Mannich反应,生成胺烷基化的苯骈三氮唑衍生物。在此衍生物中,苯骈三氮唑基是亲核取代反应的良好离去基团,易被强亲核试剂的硒负离子取代,生成对称α,α'-二胺基二苄基硒醚。反应易进行,产率较高,产物均为固体,易提纯。这是合成含氮原子的对称硒醚的较好方法。     

生色团连接的苯骈三氮唑衍生物的激发态分子内质子转移

用从头算和密度泛函理论研究了对硝基二苯乙烯作为生色团连接的2-(2-羟基-苯基)-苯骈三氮唑的衍生物2-羟基-5-[对硝基-二苯乙烯基-氧亚甲基]-苯基-(2H-苯骈三氮唑)(C1)和4′-硝基-3,4-二[2-羟基-(2H-苯骈三氮唑)-苄氧基]-二苯乙烯(C2)发生激发态分子内质子转移(ESIPT)的可能性.系统研究了C1和C2发生ESIPT的互变异构体的基态与激发态的性质变化,包括相关的键长、键角等结构参数,Mulliken电荷和偶极矩,前线轨道以及势能曲线.计算结果表明,对于C1来讲,酮式(keto)的基态(K)不存在稳定结构,因此发生基态分子内质子转移(GSIPT)可能性很小.酮式的激发态(K*)的氢键强度要远强于烯醇式(enol)的激发态(E*)的氢键强度.分子在光致激发后,质子供体所带负电荷减小而质子受体所带负电荷增加.在K*,HOMO→LUMO的电子跃迁导致电子密度从"酚环"向质子化杂环转移.E*→K*跃迁只需要克服较小的能垒(约41 kJ.mol-1).计算结果表明C1发生ESIPT的可能性很大.C2由于具有高能量,其具有基态的单质子转移特征的异构体EK(同时含烯醇E与酮K结构)、具有基态的双质子转移特征的异构体2K(含有双酮结构),以及具有双酮结构特征的激发态2K*均无法获得它们的稳定结构,因此,基态分子内单或双质子转移和激发态分子内双重质子转移发生的可能性极小.然而,由于双烯醇式的激发态(2E*)和EK的激发态(EK*)存在稳定结构,且2E*→EK*跃迁具有低能垒,因此C2有可能发生激发态分子内单重质子转移.本文进一步计算了两个分子的紫外-可见吸收光谱与荧光发射光谱,获得了具有较大斯托克位移的ESIPT的荧光发射峰.     

Synthesis of Ultraviolet Absorber Benzotriazole by Nanoparticles Ag/SiO2 Catalytic Hydrogenation

The Ag/SiO2 nanoparticles had been successfully synthesized. The Ag/SiO2 nanoparticles can be an excellent catalyst for the synthesis of ultraviolet absorber benzotriazole by catalytic hydrogenation. The synthesis route is very efficient with less pollution and excellent yields. It is also easy to industrialized production.     

某些新的连位仲、叔二胺的合成

连二胺化合物在化学工业、金属螯合剂、多氮杂环和穴状化合物化学中很重要。它们也常用于中间体的合成,以及特殊杂环化合物的合成。仲连二胺通常可用 Na、Mg、AI(Hg)Ti等诱导N取代的亚胺发生二聚反应还原制备。该方法有一些不利因素:较适合仲芳香胺而不适合叔芳香胺或脂肪胺;单分子与双分子还原相互竞争,而单分子还原产品通常是副产物;阴离子中间体形成困难。叔连二胺可在三(二烷基胺基)甲基钒(Ⅳ)或钛度剂存在下,     

苯驳三氮唑胺烷基化及N一取代芳胺的简便合成

苯骄三氮哇、胺和甲醛在乙晾溶液中发生Mannich反应，生成胺烷基化的苯骄三氮哇衍生物，胺可以是芳香或杂环一级、二级胺，产率很高.上述反应生成的苯骄三氮哇衍生物在硼氢化钠作用下或与格氏试剂反应生成二级或三级芳胺，该法操作简便，条件温和，无副反应.     

钴互连化学机械抛光浆料中的界面腐蚀行为研究

芯片互连层进行化学机械抛光（CMP）时,抛光液对互连金属的腐蚀问题是影响抛光后表面质量的重要因素。本文在含有氧化剂过硫酸钾（KPS）、络合剂甘氨酸（Gly）和缓蚀剂苯骈三氮唑（BTA）的抛光液体系中,对互连金属钴的界面腐蚀行为进行了研究。结果显示,强氧化剂KPS在互连层抛光液中并不能使钴表面形成稳定钝化,需要进一步引入BTA以抑制过度腐蚀。静态腐蚀实验和扫描电子显微镜观察显示,BTA能有效地降低钴在抛光液中的腐蚀,提高表面质量,电化学测试计算出其缓蚀效率最高可达99.02%。电化学阻抗谱和X射线光电子能谱揭示了腐蚀过程机理：Gly的加入可以溶解钴表面的二价及三价氧化物,破坏KPS形成的钝化层,BTA的引入会大幅增加电化学腐蚀过程的电荷转移电阻,从而抑制抛光液对钴的腐蚀。     

利用拉曼光谱和电化学技术研究碱性条件下苯骈三氮唑对Co的缓蚀作用

本文将传统电化学方法和现场表面增强拉曼散射 (SERS)技术相结合 ,对碱性溶液中苯骈三氮唑对纯钴电极的缓蚀行为进行了研究。发现随着浸泡时间的延长 ,苯骈三氮唑、H2 O以及溶液中的溶解氧相互作用从而逐渐在Co电极表面形成致密的防腐层而达到缓蚀的效果。     

N,N′-双(1H-苯骈三氮唑基-1-甲基)-硫脲的合成和晶体结构

参照文献报道的合成方法,以苯骈三氮唑和硫脲为原料,以冰醋酸为溶剂,制备了双苯骈三氮唑取代的化合物N,N′-双(1H-苯骈三氮唑基-1-甲基)-硫脲;经进一步培养得到其单晶;利用元素分析和红外光谱初步分析了产物的组成和结构,利用X射线单晶衍射分析了其分子结构.