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1.
量子自旋液体是最近几年刚被人们证实除铁磁体、反铁磁体之外的第三种磁性类型,因其有望解释高温超导的运行机制、改变计算机硬盘信息存储方式而在物理、材料等领域备受关注。自旋阻挫作为量子自旋液体的最小单元可能是解开量子自旋液体诸多问题的钥匙,所以在磁学、电学研究领域再一次成为人们研究的热点。基于文献报道的三核铜配合物[Cu3(μ3-OH)(μ-OPz)3(NO3)2(H2O)2]·CH3OH(1),我们合成了三维金属有机框架配合物{[Ag(HOPz)Cu3(μ3-OH)(NO3)3(OPz)2Ag(NO3)]·6H2O}n(2)(HOPz=甲基(2-吡嗪基)酮肟),并从自旋阻挫的角度对二者磁性质进行对比和详细分析。磁化率数据表明自旋间有很强的反铁磁相互作用和反对称交换。通过包含各向同性和反对称交换的哈密顿算符对两者磁学数据进行拟合并研究其磁构关系,所获最佳拟合参数为:配合物1:Jav=-426 cm^-1,g⊥=1.83,g∥=2.00;配合物2:Jav=-401 cm^-1,g⊥=1.85,g∥=2.00。  相似文献   
2.
3.
关于绝对半素环和绝对半素根   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文了绝对半素环的概念,研究了绝对半素与与半素环及素环之间的关系,讨论了由全体绝对半素环类决定的上根--绝对半半素根及其性质。  相似文献   
4.
HIRFL–CSR加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失   总被引:1,自引:1,他引:0  
研究了重离子加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失过程和碰撞截面,在依据大量实验数据的基础上,提出了一组计算离子一原子的电荷交换截面的经验公式.以兰州重离子加速器HDRFL及冷却储存环CSR为例,给出了依据碰撞截面的公式计算束流在加速器真空中的传输效率的方法,并计算了在不同真空度下HIRFL的ECR源轴向注入束运线、注入器SFC、前束运线、主加速器SSC和后束运线等不同加速阶段及CSR的传输效率,并提出合理的真空度要求.HIRFL的真空分布测量和束流的损失测量证明了该计算方法的可靠性.  相似文献   
5.
采用Cundari和Stevens等推导的有效芯势对镧系金属一氢化物进行了理论计算,以探讨镧系金属元素与氢的相互作用。结果表明所有镧系金属一氢化物基态时理论上是稳定的,最稳定的是SmH,最不稳定的是DyH;键长计算结果显示,基态时镧系金属一招兵买马花物有独立王国 收缩现象发生;红外振动频率理论计算值与实验结果一致;成键轨道中,金属原子轨道的贡献主要是s轨道和d轨道:从CeH至ErH(GdH)例外)随着外层电子的增加s轨道成分逐渐增大d轨道成分逐渐减小;从TmH和LuH(包括GdH),成键轨道中金属原子轨道的贡献主要是d轨道,约为90%;约大多数镧系金属一氧化物的成键轨道中金属原子轨道f成分小于1%。  相似文献   
6.
直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜   总被引:6,自引:1,他引:5       下载免费PDF全文
用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K. 关键词: 高温超导体 超导薄膜 磁控溅射 二硼化镁  相似文献   
7.
卢春生  米耀荣 《物理》2006,35(7):550-552
在聚合物基体中掺入少量的层状硅酸盐所制备的聚合物/粘土纳米复合材料,其阻隔性能明显地优于纯聚合物及其传统的复合材料。实验及分析结果表明,聚合物/粘土纳米复合材料的微观结构和阻隔性能主要受控于粘土剥离后的径厚比.一简单的重整化群模型被用来评估粘土几何因素(诸如径厚比、取向、剥离程度等)对聚合物/粘土纳米复合材料阻隔性能的影响,所得到的逾渗阈值及最佳粘土含量与实验结果吻合。  相似文献   
8.
等幂代数和方程组的解法   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
众所周知, 等幂和代数方程组可以通过Newton恒等式转化为一个高次代数方程. 这就是Viete-Newton定理. 本文报道一项关于把Viete-Newton定理推广到等幂代数和方程组的求解上去的研究成果. 利用代数学和组合学的知识和技巧, 该成果显示了等幂代数和方程组可以封闭地转化为两个次数之和等于等幂代数和方程组未知数个数的代数方程.  相似文献   
9.
研究了制备的掺钕螯合物Nd(DBM)3Phen材料的吸收光谱、激发光谱、荧光光谱,应用Judd-Ofelt理论计算了该材料的强度参量.分析了钕离子激发态4F3/2的辐射寿命(631 μs)和4F3/2→4IJ′跃迁的受激发射截面和荧光分支比.  相似文献   
10.
烷基硫酸盐表面张力的量子化学研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用AMl量子化学计算法优化了十三烷基硫酸根阴离子和——CH3在不同取代位的十二烷基硫酸根阴离子的几何构型,得到最优构型时最高占据分子轨道能级EHOMO、最低空轨道能级ELUMO、电子能量Eele和偶极矩μ等数据.将这些电子结构数据分别与表面张力相拟合,得到很好的相关性。文中讨论了——CH3在不同位置取代对表面张力的影响。  相似文献   
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