全文获取类型
收费全文 | 658篇 |
免费 | 520篇 |
国内免费 | 261篇 |
专业分类
化学 | 236篇 |
晶体学 | 39篇 |
力学 | 60篇 |
综合类 | 19篇 |
数学 | 17篇 |
物理学 | 1068篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 26篇 |
2022年 | 41篇 |
2021年 | 38篇 |
2020年 | 25篇 |
2019年 | 38篇 |
2018年 | 31篇 |
2017年 | 37篇 |
2016年 | 32篇 |
2015年 | 44篇 |
2014年 | 62篇 |
2013年 | 64篇 |
2012年 | 51篇 |
2011年 | 61篇 |
2010年 | 49篇 |
2009年 | 57篇 |
2008年 | 99篇 |
2007年 | 76篇 |
2006年 | 63篇 |
2005年 | 75篇 |
2004年 | 80篇 |
2003年 | 48篇 |
2002年 | 35篇 |
2001年 | 55篇 |
2000年 | 42篇 |
1999年 | 26篇 |
1998年 | 17篇 |
1997年 | 18篇 |
1996年 | 16篇 |
1995年 | 21篇 |
1994年 | 27篇 |
1993年 | 15篇 |
1992年 | 25篇 |
1991年 | 7篇 |
1990年 | 14篇 |
1989年 | 12篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有1439条查询结果,搜索用时 312 毫秒
1.
2.
制作了掺杂rubrene和4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9,enyl)-4H-pyran(DCJTB)两种荧光染料的红光有机电致发光器件。N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)-(1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine(NPB)和掺杂的Tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)分别作为空穴和电子传输层。我们发现掺rubrene和DCJTB的器件性能与只掺DCJTB的器件性能相比有所提高。器件性能的改善是因为掺入的rubrene能够促进从Alq3到DCJTB的能量转移。根据荧光衰减曲线,计算出从Alq3到DCJTB、从Alq3到rubrene以及从rubrene到DCJTB的能量转移速率分别为1.04×109,3.89×109,2.79×109s-1。可以看出能量通过rubrene从Alq3到DCJTB的转移速率是能量直接从Alq3到DCJTB的2.7倍。 相似文献
3.
4.
5.
Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed. 相似文献
6.
利用 Schn-Tremblay 理论计算了 Pb、Sn 超导薄膜在注入准粒子且注入电压很小(ev<2△(?))时的能隙微小增加的效应.同时,把此理论扩展到 ev>>2△_i 的大电压情况,计算出能隙明显减小及超导-正常混合态的结果. 相似文献
7.
8.
Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved. 相似文献
9.
本文介绍了兰州重离子加速器(HIRFL)的注入器(SFC)所用PIG离子源的研制和改进工作,使用新研制的PIG源,已在注人器SFC上获得了5μA的O_(16)~(5+)及10μA的C_(16)~(4+)的离子束。 相似文献
10.