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1.
在介绍B.VAN ROOT SELAAR的解方程组x'=Ax的一种新方法的基础上,对矩阵F(0)求法作了补充,对照以往通常的解法,分析了它的优越性.文章用完全开放性的Maple语言程序在计算机上实现了这种方法的应用,并通过生动的例子说明了同样是借助计算机强大的计算功能,新的解法在速度上要提高上百倍,更有实用价值. 相似文献
2.
澳大利亚伍伦贡大学(University of Wollongong)的几位研究者通过模板程序合成了单一取向、排列整齐的镍氧化物(NiO)纳米管束,并用于锂离子电池,从而提高了其电化学性能。 相似文献
3.
曾六川 《数学物理学报(A辑)》2002,22(1):99-106
该文研究Banach空间中一类强增生型变分包含解的存在性及其具误差的Ishikawa迭代程序的收敛性问题.该文结果是几位作者早期与最近的相应结果的改进和推广. 相似文献
4.
采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度. 相似文献
5.
曾六川 《数学物理学报(A辑)》2002,22(3):336-341
设犈是一致凸Banach空间,满足Opial条件或具有Frechet可微范数,犆是犈的非空闭凸子集,且犜:犆→犆是非扩张映象.又设对任何初始数据狓1 ∈犆,序列{狓狀}由下列修改了的Ishikawa迭代程序生成:狓狀+1 =狋狀犜狀(狊狀犜狀狓狀+ (1-狊狀)狓狀)+ (1-狋狀)狓狀, 狀≥1, (I)其中,数列{狋狀}与{狊狀}满足下列条件(i)和(ii)之一:(i)狋狀∈ [犪,犫]且狊狀∈ [0,犫];(ii)狋狀∈ [犪,1]且狊狀∈ [犪,犫],这里,常数犪,犫满足0<犪≤犫<1.作者证明了,犜有不动点的充要条件是,{狓狀}
弱收敛且{‖狓狀-犜狓狀‖}收敛到0.而且,由此即知,若犜有不动点,则{狓狀}弱收敛到犜的一个不动点. 相似文献
6.
用MCNP程序和ENDF/B—VI库数据计算了Livermore的^6 Li探测器的中子探测效率,并与国外发表的^6Li玻璃的探测效率数据进行比较,结果基本一致,表明本实验室的计算方法是正确的。 相似文献
7.
符合计数的测量量为总中子计数和符合计数,而未知量有(α,n)中子与自发裂变中子之比α、泄漏增殖系数M1以及钚-240的质量。符合计数与源中子泄漏复度分布的二阶矩成正比。对MCNP程序进行修改,加入自发裂变源与(α,n)中子源的跟踪功能,直接得到了中子泄漏复度分布的二阶矩。 相似文献
8.
使用结构简单的单温炉设备,通过三步升温热解二茂铁、三聚氰氨混合物方法,在二氧化硅、多晶陶瓷基底上分别合成了碳纳米管阵列、碳纳米管捆束.使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、电子能量损失谱和x射线光电子能谱对合成样品进行了结构和成分分析.结果显示:两种基底上合成的纳米管均为多壁纯碳管;生长于光滑二氧化硅表面的碳纳米管具有高度取向性和一致的外径,长度为10—40μm.碳纳米管采取催化剂顶端生长模式并展示出类杯状形貌;生长于粗糙多晶陶瓷表面的碳纳米管捆束随机取向,碳纳米管直径为15—80nm,长度在几百微米,展示
关键词:
碳纳米管
热解法
三步升温工艺 相似文献
9.
10.
转移概率流图的概率理论基础与应用方法(Ⅲ)——变量分离方法的依据及应用 总被引:2,自引:2,他引:0
范永亮.转移概率流图的概率理论基础与应用方法(Ⅲ).数理统计与管理,1998,17(3),55~60.本文引入多元转移概率函数及多元转移概率流图的概念,介绍处理同一转移过程中多个随机变量的变量分离方法,并以连续抽样方案中的抽样方式和抽检程序的讨论为例,探讨了变量分离方法的应用 相似文献