含氟碳菁染料聚集行为的研究

本文对五种不同结构的含氟碳菁染料的甲醇溶液及吸附在碘溴化银T 颗粒表面的聚集行为进行了研究 ,测定了照相性能 ,计算了增感倍率。Dye1 ,Dye2 ,Dye3在甲醇溶液中测得的单分子态吸收曲线 ,当取代基从C2 H5→CH3→无取代基时 ,最大吸收峰对应的波长向短波方向移动 ;乙基取代基的增感染料 (Dye1 )吸附在碘溴化银表面形成的J 聚集态峰值较高 ,对应的增感倍率也高。没有取代基的增感染料 (Dye3)不形成J 聚集 ,增感倍率低 ,有减感作用。Dye4与Dye5相比 ,Dye4具有尖而窄的J 聚集反射光谱 ,增感倍率高。结果表明 :不同结构的增感染料吸附在卤化银颗粒上形成的J 聚集态不同 ,吸收谱带窄的J 聚集态增感染料具有较高的增感倍率。     

珠心算排积法论

二、3乘(一)本个数位乘数0246813579本个数0628439517(二)进数位乘数0123456789本个数0000111222(三)位积位积=本个+后进(允许够10数)合成位积的训练最好先用一笔清,然后再用脑算盘清理。有够10进位用“左手”。够10进位多数是后数有3与6的地方。例13×37,269........｜｜｜｜｜｜｜｜｜｜虚半替半｜｜｜｜｜｜｜｜｜｜}}够4进1够7进23×37269=0117073进03本个9,7进2,为17本个12本个6,6进1,为76本个8,9进2,为09本个7脑算盘清理为111,807。例23×68,194脑算盘清理为204,582。例33×94,762例43×29,507三、4乘(一)本个数位乘数0246813579本个…     

混合位级正交试验设计的极差分析方法

本文指出，在混合位级的正交试验设计中，以往的极差分析方法存在着不足。本文给出了极差的修正方法，并用大量实例做了数值验证，说明这个修正确实很有效     

用原子位形几率波理论研究插层化合物MxTX2中M离子的有序结构

本文就插层化合物M_xTX₂中占据八面体间隙的M离子建立了离子-空位格气模型.用原子位形几率波理论研究了M离子的有序结构,得到了3种最稳定的有序结构,并定量地分析了相互作用参数对有序结构形成的决定作用.最后对已有实验结果进行了分析和讨论.     

珠心算排积法论

}百一酒0一_Ol_一35一污5一夕5一5冷一倾4nU猫24683_一5一孚9效飞。位乘数(0、5)数(2)进位位乘数进位数龚二二王共琴{ 4小半x47,326-鲜绪沛、一歇为。呼仲i砂5一x豁摆沙巍镖{耀馨髯解孺黔{瞪279 4_.一0,为4 4_一0二为4华伪何-释9己,为乡,为3 0‘_5,为5势2.加]位积=执气(迸在漏新她碧念称砰十例1 5 x 29,438x 0 2 9 4 3 80 VVVVV守 2亏2忌00例45欠63,103,‘叼认刀认夕4 944忌亏2一O=2(大半数)5一0=53一52一05一5二06大半42一O二81一5二41一5=42一0=80一5==5一2一R 一一一一了leel|J、ee|llt 个 本 减 半 大0一己=石例2 5x91,574,x(饰铸…     

托卡马克能量约束及自举电流效应的初步考虑

基于Lee等人的离子温度梯度模导致的反常热能输运系数,本文研究了辅助加热托卡马克等离子体的能量约束行为,并对自举电流的效应作了初步考虑。结果表明,计算得到的能量约束时间随等离子体电流I_p和托卡马克大半径R增大而增长,随注入功率P_t、环向场B_t以及等离子体小半径α的增大而缩短。这些结果与Kaye-Goldston的经验约束定标具有相同的趋势。自举电流的存在总是导致能量约束时间的增加,当自举电流与总电流的比值γ较小时,能量约束时间的增加率约为γ/2。此外,自举电流将造成锯齿反转半径的减小。     

Crystal-Orientation Dependent Evolution of Edge Dislocations from a Void in Single Crystal Cu

The micro-void growth by dislocation emission under tensile loading is explored with focus on the influence of crystal orientations. Based on the elastic theory, a dislocation emission criterion is formulated. It is predicted that the preferential location of dislocation nucleation and its threshold stress are dependent on the crystal orientation. Large-scale molecular dynamics （MD） simulations are also performed for single crystal copper to illustrate the dislocation evolution pattern associated with a nano-void growth. The results are in line with those given by the theoretical prediction. As revealed by MD simulations, the characteristics of void growth at micro-scale depend greatly on the crystal-orientation.     

碳分子线基态特性理论研究

从第一原理出发,利用密度泛函理论B3LYP系统研究了碳分子线Cn(n＝3～10)的电子结构特性.对优化结果分析发现,由于离域效应的作用,当n为奇数时,分子线基态为单重态,反之,当n为偶数时,三重态为其稳定的基态.对其电子结构分析可得,随着n的增加,体系能量逐渐降低;同时本文确定了分子线体系最高占据轨道HOMO能量EH、最低未占据轨道LUMO能量EL与n的关系式,即EHn-2＜EHn＜EHn+2,ELn-2＞ELn＞ELn+2.因而碳分子线的费米能级会表现出特有的奇偶性.该工作将有利于准确认识分子器件的伏安特性,设计出良好性能的分子器件.