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1.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。  相似文献   
2.
一种有机电致发光共聚物的制备和性能   总被引:2,自引:1,他引:1  
杨坚  吴宏滨  侯琼  黄飞  阳仁强  杨伟  曹镛 《发光学报》2003,24(6):612-615
采用Suzuki方法合成了9,9-二辛基芴与萘并硒二唑的两种无规共聚物并研究了其紫外光谱、光致发光和电致发光性能。两种聚合物的电致发光波长为650~666nm,均为发饱和红光的LED材料,其电致发光外量子效率最高达到了1.05%。随着共聚物中萘并硒二唑含量的增加,共聚物的光致发光和电致发光的发射波长均有少量红移。证明了根据共轭高聚物链内能量转移原理,在聚芴链中引入不同含量的窄带隙杂环单元可实现对聚芴发光颜色的调节。  相似文献   
3.
A mild, regioselective 1, 3-dipolar cycloaddition protocol for the preparation ofphenylselenomethyl isoxazolines through substituted allyl phenyl selenides and nitrile oxides wasreported.  相似文献   
4.
尹虹  邓勃 《分析化学》1997,25(4):400-403
采用前馈线笥网络BP算法,计算了Cd62+-OH^-CO^2-3三元体系的累积稳定常数。用Hopfield反馈网络研究了体系中络合物的形态分布。溶液中溶解的CO2对lgβ1的计算结果有重要影响,对lgβ2,lgβ3,lgβ4的结果影响不大。  相似文献   
5.
本文报道在四氢吠喃中通过金属锡促进Q_澳代酷与二硒醚反应生成a一硒代酷,反应条件温和,产率良好.  相似文献   
6.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长   总被引:2,自引:2,他引:0  
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。  相似文献   
7.
火焰原子吸收光测定高含量有机玻璃中碲   总被引:4,自引:0,他引:4  
硒化合物在电子、玻璃等工业部门用途广泛,对高含量硒中碲的测定通常是用分光光度比色法或极谱法。本文详细研究了火焰原子吸收光谱法在这领域中的作用。使用本方法不必从硒化物试样中分离碲,在0.6-1.2mol/L HCl介质中测定蹄时,检出限0.08μg/ml,特征浓度0.15μg/ml1%,线性范围25μg/ml。相关系数0.9998。  相似文献   
8.
缺铁:1.贫血:孕妇50%以上出现缺铁性贫血。 2.胎儿缺氧,小儿智力低下。 3.遗传性疾病,无铁传递蛋白血症。  相似文献   
9.
一次消解测定蔬菜中多种重金属的简捷方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对一般实验室检测人员少,检测任务重的问题,研究了蔬菜通过一次湿化消解后,消解液可以测定多种重金属元素的方法,大大提高了效率,减轻了工作量.  相似文献   
10.
不同方法制备的CO2-3替换磷灰石固溶体晶体化学的FTIR研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用不同方法制备了CO2-3替换的磷灰石固溶体,利用FTIR结合XRD对其进行了晶体化学研究,结果表明均相沉淀法制备的碳羟磷灰石(CHAP)属B型替换且替换方式是[CO3·OH]四面体替换[PO4]四面体;固相离子交换法制备的CHAP属A型替换且替换方式是[CO3]三角形配位体替换通道位置的OH-;固相反应法制备的碳氟磷灰石(CFAP)属B型替换,其替换方式是[CO3·F]四面体替换[PO4]四面体;sol-gel法制备的CHAP属AB混合型替换,其Ψ3分裂为Ψ3-1,Ψ3F,Ψ3-4.高斯函数法拟合表明Ψ3F峰是A型替换的Ψ3-2与B型替换的Ψ3-3的叠合.当WCO2-3<3.34%时,随CO2-3含量增加,A型替换量增大,且当WCO2-3=3.34%时达最大值,当3.34%<WCO2-3<7.52%时,随CO2-3含量增加,B型替换量增大,且当WCO2-3= 7.52%时亦到饱和.  相似文献   
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